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偏振相关的压应变量子阱增益芯片研究
更新时间：2025-05-22

    • 偏振相关的压应变量子阱增益芯片研究

      增强出版

    • Investigation on Polarization-Dependent Strain Quantum Well Gain Chips

    • “最新研究揭示了半导体增益芯片在量子精密测量等领域的关键作用，通过优化量子阱厚度和应变，显著提升了偏振消光比和输出功率。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-8

    • DOI：10.37188/CJL.20250114    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20250114    

    • 网络出版日期：2025-05-22，

    移动端阅览

  • 段宜江,陈超,孙晶晶等.偏振相关的压应变量子阱增益芯片研究[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250114 CSTR： 32170.14.CJL.20250114.

    DUAN Yijiang,CHEN Chao,SUN Jingjing,et al.Investigation on Polarization-Dependent Strain Quantum Well Gain Chips[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250114 CSTR： 32170.14.CJL.20250114.

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