El chip de ganancia de semiconductor, como medio activo del láser de cavidad externa de semiconductor (ECSL), sus características como potencia, dependencia de polarización y factor de ensanchamiento de línea determinan directamente el rendimiento central del láser. Para mejorar la relación de extinción de polarización del chip de ganancia de semiconductor y reducir el ruido introducido por la competencia de modos en el láser, este artículo estudió el efecto del grosor del pozo cuántico y la tensión del pozo cuántico en la ganancia de material de los modos transversal eléctrico (TE) y transversal magnético (TM), y también investigó el efecto de la longitud de la zona activa en la potencia del chip de ganancia y en el espectro de emisión espontánea. Introduciendo tensión de compresión en los pozos cuánticos InGaAs/AlGaAs, se mejoró la diferencia en la ganancia del material entre los modos TE y TM, logrando un chip de ganancia de semiconductor en la banda de 850 nm con una clara dependencia de polarización, con una relación de extinción de polarización máxima de 9.58 dB, ancho máximo de espectro de emisión espontánea de 28.72 nm y potencia máxima de salida de 28.53 mW. Este trabajo proporciona un medio de ganancia activo con características de polarización destacadas para láseres de línea estrecha y polarización lineal necesarios en los campos de medición cuántica precisa, radar láser coherente y comunicaciones ópticas coherentes.

chip de ganancia;l áser de cavidad externa de semiconductor;pozo cuántico;relación de extinción de polarización;polarización lineal