El chip amplificador de semiconductores, como medio activo del láser semiconductor de cavidad externa (ECSL), posee características como potencia, dependencia de polarización y factor de ensanchamiento de línea que determinan directamente el rendimiento central del láser. Para mejorar la relación de extinción de polarización del chip amplificador de semiconductores y reducir el ruido introducido por la competencia de modos en el láser, este trabajo estudia el efecto del grosor del pozo cuántico y la tensión cuántica sobre la ganancia material de los modos transversal eléctrico (TE) y transversal magnético (TM), así como la influencia de la longitud de la zona activa en la potencia del chip amplificador y el espectro de radiación espontánea. Al introducir tensión de compresión en el pozo cuántico InGaAs/AlGaAs, se mejoró la diferencia de ganancia material entre los modos TE y TM, logrando un chip amplificador de semiconductores en la banda de 850 nm con polarización notable, una relación de extinción de polarización máxima de 9.58 dB, un ancho de banda espectral de emisión espontánea máximo de 28.72 nm y una potencia de salida máxima de 28.53 mW. Este trabajo proporciona un medio activo de ganancia con características de polarización destacadas para láseres de línea estrecha requeridos en mediciones cuánticas precisas, radares láser coherentes y comunicaciones ópticas coherentes.

Chip amplificador;láser semiconductor de cavidad externa;pozo cuántico;relación de extinción de polarización;polarización lineal