La puce à gain à semi-conducteur, en tant que milieu actif du laser à semi-conducteur à cavité externe (ECSL), ses caractéristiques telles que la puissance, la dépendance à la polarisation et le facteur d'élargissement de la largeur de raie déterminent directement les performances clés du laser. Afin d'améliorer le rapport d'extinction de polarisation de la puce à gain à semi-conducteur et de réduire le bruit introduit par la compétition des modes dans le laser, cet article étudie l'effet de l'épaisseur du puits quantique et de la contrainte du puits quantique sur le gain matériel des modes transverse électrique (TE) et transverse magnétique (TM), et examine également l'effet de la longueur de la zone active sur la puissance de la puce à gain et le spectre d'émission spontanée. En introduisant une contrainte de compression dans les puits quantiques InGaAs/AlGaAs, la différence de gain matériel entre les modes TE et TM a été améliorée, réalisant une puce à gain à semi-conducteur dans la bande de 850 nm avec une dépendance polarisée évidente, un rapport d'extinction de polarisation maximal de 9,58 dB, une largeur de spectre d'émission spontanée maximale de 28,72 nm et une puissance de sortie maximale de 28,53 mW. Ce travail fournit un milieu à gain actif avec des caractéristiques de polarisation marquées pour les lasers à largeur de raie étroite et à polarisation linéaire nécessaires dans les domaines de la mesure quantique précise, du radar laser cohérent et des communications optiques cohérentes.

puce à gain;laser à semi-conducteur à cavité externe;puits quantique;rapport d'extinction de polarisation;polarisation linéaire