La puce d'amplification semi-conductrice, en tant que milieu actif du laser semi-conducteur à cavité externe (ECSL), possède des caractéristiques telles que la puissance, la dépendance en polarisation et le facteur d'élargissement de la largeur de raie qui déterminent directement les performances fondamentales du laser. Pour améliorer le rapport d'extinction de polarisation de la puce d'amplification semi-conductrice et réduire le bruit induit par la compétition des modes dans le laser, cet article étudie l'effet de l'épaisseur du puits quantique et de la contrainte quantique sur le gain matériel des modes transverse électrique (TE) et transverse magnétique (TM), ainsi que l'influence de la longueur de la zone active sur la puissance de la puce d'amplification et le spectre de rayonnement spontané. En introduisant une contrainte de compression dans le puits quantique InGaAs/AlGaAs, la différence de gain matériel entre les modes TE et TM a été améliorée, réalisant une puce d'amplification semi-conductrice à 850 nm avec une polarisation notable, un rapport d'extinction de polarisation maximal de 9,58 dB, une largeur de bande spectrale maximale d'émission spontanée de 28,72 nm et une puissance de sortie maximale de 28,53 mW. Ce travail fournit un milieu actif à gain avec des caractéristiques de polarisation remarquables pour les lasers à ligne étroite requis dans les mesures quantiques précises, les lidars laser cohérents et les communications optiques cohérentes.

Puce d'amplification;laser semi-conducteur à cavité externe;puits quantique;rapport d'extinction de polarisation;polarisation linéaire