摘要
كريس 半导体增益芯片 كوسيط نشط في ليزر أشباه الموصلات ذو التجاويف الخارجية (ECSL)، تحدد خصائصه مثل القدرة، والتبعية القطبية، وعامل توسيع عرض الخط الأداء الأساسي لليزر. لرفع نسبة الإخماد القطبي لشريحة كسب أشباه الموصلات وتقليل الضوضاء الناتجة عن تنافس الأنماط في الليزر، درست هذه الورقة تأثير سمك بئر الكمية والإجهاد في بئر الكمية على كسب المواد لأنماط TE (المجال الكهربائي العرضي) وTM (المجال المغناطيسي العرضي)، وكذلك تأثير طول منطقة المنشط على قدرة شريحة الكسب وطيف الانبعاث التلقائي. من خلال إدخال إجهاد ضغط في بئر الكم InGaAs/AlGaAs، تم تحسين فرق كسب المواد بين أنماط TE وTM، مما حقق شريحة كسب أشباه موصلات عند 850 نانومتر ذات تبعية قطبية واضحة، مع أعلى نسبة إخماد قطبي تبلغ 9.58 ديسيبل، وأقصى عرض طيفي للانبعاث التلقائي يبلغ 28.72 نانومتر، وأقصى قدرة إخراج 28.53 ميلي واط. يوفر هذا العمل وسط كسب نشط مع خصائص قطبية بارزة للليزرات الضيقة العرض، والليزرات خطية الاستقطاب المطلوبة في مجالات القياس الكمي الدقيق، والرادار الليزري التوافقي، والاتصالات الضوئية التوافقية.
关键词
شريحة كسب;ليزر أشباه الموصلات ذو التجاويف الخارجية;بئر كمية;نسبة إخماد قطبي;استقطاب خطي
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website