Der Halbleiter-Gewinnchip als aktives Medium des externen Halbleiter-Hohlraumlasers (ECSL) bestimmt mit seiner Leistung, Polarisationsabhängigkeit und Linienbreitenerweiterungsfaktor direkt die Kernleistung des Lasers. Um das Polarisationslöschverhältnis des Halbleiter-Gewinnchips zu verbessern und das durch den Modenkonkurrenz im Laser eingeführte Rauschen zu reduzieren, untersucht diese Arbeit den Einfluss der Quantentiefendicke und -spannung auf die Materialverstärkung der TE- (Transversalelektrisch) und TM-Moden (Transversalmagnetisch) und untersucht gleichzeitig den Einfluss der aktiven Bereichslänge auf die Leistung des Gewinnchips und das spontane Emissionsspektrum. Durch die Einführung einer Kompressionsspannung in InGaAs/AlGaAs-Quantentiefen wurde der Materialverstärkungsunterschied zwischen den TE- und TM-Moden verbessert, was einen Halbleiter-Gewinnchip im 850-nm-Band mit ausgeprägter Polarisationsabhängigkeit realisierte, mit einem maximalen Polarisationslöschverhältnis von 9,58 dB, einer maximalen spontanen Emissionsspektrum-Bandbreite von 28,72 nm und einer maximalen Ausgangsleistung von 28,53 mW. Diese Arbeit stellt ein aktives Gewinnmedium mit ausgeprägten Polarisationsmerkmalen für schmale Linienbreiten- und linear polarisierte Laser bereit, die in den Bereichen präziser quantenmechanischer Messungen, kohärenter Laserradare und kohärenter optischer Kommunikation benötigt werden.

Gewinnchip;externer Halbleiter-Hohlraumlaser;Quantentiefen;Polarisationslöschverhältnis;lineare Polarisation