Halbleiter-Verstärkerschips dienen als aktives Medium eines Außenresonator-Halbleiterlasers (ECSL), wobei Eigenschaften wie Leistung, Polarisationsabhängigkeit und Linienbreitenverbreiterungsfaktor direkt die Kernleistung des Lasers bestimmen. Zur Erhöhung des Polarisationslöscheverhältnisses des Halbleiter-Verstärkerschips und zur Verringerung des durch Modenkonkurrenz im Laser eingeführten Rauschens untersucht diese Arbeit den Einfluss der Quantentiefenstärke und der Quantenbeanspruchung auf den Materialverstärkungsgewinn der transvers-elektrischen (TE) und transvers-magnetischen (TM) Moden und erforscht gleichzeitig den Einfluss der aktiven Bereichslänge auf die Leistung des Verstärkerschips und das Spektrum der spontanen Emission. Durch Einführen von Druckbelastung in die InGaAs/AlGaAs-Quantentiefen wurde der Materialgewinnunterschied zwischen TE- und TM-Moden verbessert und ein Halbleiter-Verstärkerschip im 850-nm-Band mit auffälliger Polarisationsabhängigkeit realisiert. Das maximale Polarisationslöscheverhältnis beträgt 9,58 dB, die maximale Breite des spontanen Emissionsspektrums 28,72 nm und die maximale Ausgangsleistung 28,53 mW. Diese Arbeit liefert ein aktives Verstärkungsmedium mit ausgeprägten Polarisationsmerkmalen für schmalbandige Laser, die für präzise Quantenmessungen, kohärente Laser-Radare und kohärente optische Kommunikation benötigt werden.

Verstärkerschip;Außenresonator-Halbleiterlaser;Quantentiefen;Polarisationslöschverhältnis;lineare Polarisation