摘要
Полупроводниковая усилительная чип, выступающая в качестве активной среды внешнего полупроводникового лазера с резонатором (ECSL), обладает характеристиками, такими как мощность, поляризационная зависимость и коэффициент расширения линии, которые напрямую определяют основные параметры лазера. Для повышения отношения подавления поляризации полупроводникового усилительного чипа и снижения шума, вызванного конкуренцией мод в лазере, в данной работе изучено влияние толщины квантовой ямы и квантового напряжения на материальный усилительный эффект поперечных электрических (TE) и поперечных магнитных (TM) мод, а также влияние длины активной области на мощность усилительного чипа и спектр спонтанного излучения. Введение сжимающего напряжения в InGaAs/AlGaAs квантовые ямы позволило увеличить разницу в материальном усилении между TE и TM модами и реализовать полупроводниковый усилительный чип с выраженной поляризационной зависимостью в диапазоне 850 нм с максимальным отношением подавления поляризации 9,58 дБ, максимальной шириной спектра спонтанного излучения 28,72 нм и максимальной выходной мощностью 28,53 мВт. Данная работа предоставляет активную усилительную среду с выраженными поляризационными характеристиками для лазеров с узкой линией, необходимых для квантовых точных измерений, когерентных лазерных радаров и когерентной оптической связи.
关键词
Усилительный чип;внешний полупроводниковый лазер;квантовая яма;отношение подавления поляризации;линейная поляризация
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website