Полупроводниковая усилительная чип как активная среда внешнего кавитированного полупроводникового лазера (ECSL), ее мощность, поляризационная зависимость и фактор расширения линии напрямую определяют основные характеристики лазера. Для повышения поляризационного коэффициента заглушения полупроводниковой усилительной чипы и снижения шума, вызванного конкуренцией мод в лазере, в данной работе исследовано влияние толщины квантовой ямы и напряжения квантовой ямы на материал усиления для поперечных электрических (TE) и поперечных магнитных (TM) мод, а также изучено влияние длины активной области на мощность усилительной чипы и спектр спонтанного излучения. Введение сжимающего напряжения в квантовые ямы InGaAs/AlGaAs повысило разницу в материальном усилении между режимами TE и TM, что позволило создать полупроводниковую усилительную чипу с выраженной поляризационной зависимостью в диапазоне 850 нм с максимальным коэффициентом поляризационного заглушения 9,58 дБ, максимальной шириной спектра спонтанного излучения 28,72 нм и максимальной выходной мощностью 28,53 мВт. Эта работа предоставляет активную усилительную среду с выраженными поляризационными характеристиками для узкополосных, линейно поляризованных лазеров, необходимых в области квантовых точных измерений, когерентного лазерного радара и когерентной оптической связи.

усилительная чипа;внешний кавитированный полупроводниковый лазер;квантовая яма;поляризационный коэффициент заглушения;линейная поляризация