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1999
年
第
4
期
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论文
超几何光场态与二能级原子相互作用中原子反转的演化及光场的反聚束效应
王晓光,于荣金,金燕
1999, 20(4): 285-289.
摘要:研究作为二项式态单参数推广的超几何态与二能级原子的强度耦合相互作用。讨论了原子反转的动力学演化以及光场的反聚束效应。
关键词:超几何态;J-C模型;动力学演化
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7
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0
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发布时间:2020-08-11
新型Tm
3+
掺杂的MFT玻璃上转换发光特性
陈宝玖,孔祥贵,吕少哲,秦伟平,王海宇,唐波,许武,黄世华
1999, 20(4): 290-294.
摘要:设计并制备了一种Tm
3+
掺杂的以多种氟化物为调整剂的碲酸盐玻璃材料,研究了Tm
3+
离子上转换发光强度与掺杂浓度的关系,测量不同波长的红光激发下Tm
3+
离子的上转换发光,及其在可见范围内的吸收光谱。测量了上转换发光的斜率效率。
关键词:上转换;碲酸盐玻璃
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9
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1
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发布时间:2020-08-11
Tm
3+
掺杂的MFT玻璃上转换发光及光学增益
陈宝玖,孔祥贵,唐波,秦伟平,王海宇,许武,黄世华
1999, 20(4): 295-299.
摘要:报道了一种新型MFT(Multi-Fluoride-Telluride)玻璃材料(组份为50TeO
2
-19.7PbF
2
-10AIF
3
-10BaF
2
-10NaF-0.3Tm
2
O
3
)的制备方法,测量了650mm激发下Tm
3+
离子掺杂在MFT玻璃材料中源于
1
D
2
→
3
H
4
(453nm)和
1
G
4
→
3
H
6
(476nm)跃迁的两组蓝色上转换发光研究了上转换发光强度随激发功率的变化关系,并且首次应用ASE(Amplified Spontaneous Emission)技术测量了上转换光学增益系数,对于和的发射其增益系数分别为B
D
=1.79±0.16mm
-1
和B
G
=1.65±0.23mm
-1
.
关键词:光学增益;上转换
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发布时间:2020-08-11
970nm LD激发Tm
3+
、Yb
3+
掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究
陈宝玖,孔祥贵,曹望和,秦伟平,王海宇,许武,黄世华
1999, 20(4): 300-304.
摘要:设计并制备了一种Tm
3+
、Yb
3+
共掺杂的多氟化物调整碲酸盐(MFT)玻璃材料,其组份为50TeO
2
-14.9PbF
2
-10AIF
3
-10BaF
2
-10NaF-0.1Tm
2
O
3
-5Yb
2
O
3
测量了该玻璃系统的Raman散射光谱,在970nmLD激发下裸眼可以观察到很强的蓝色荧光,光谱测量证实这个蓝色发射(476nm)来源于
1
G
4
→
3
H
6
的跃迁,同时,还有两个较弱的红色发射源于
1
G
4
→
3
H
4
和
3
F
4
→
3
H
6
跃迁。测量并讨论了蓝色、红色上转换荧光强度与LD工作电流的关系。这个关系表明蓝色上转换发射需要三个光子参与,而红色(663nm)发射需要两个光子参与实现。
关键词:上转换;MFT玻璃
36
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7
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2
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发布时间:2020-08-11
激光上转换玻璃陶瓷材料中稀土杂质Yb
3+
和Tm
3+
局域行为
孔祥贵,许武,陈宝玖,黄世华,范希武
1999, 20(4): 305-310.
摘要:对红光上转换玻璃陶瓷PbF
2
+WO
3
+GeO
2
以及PbF
2
+WO
3
+GeO
2
+YbF
3
+TmF
3
材料中的微晶相进行了喇曼光谱研究。获得的光谱表明PbF
2
+WO
3
+GeO
2
+YbF
3
+TmF
3
中的微晶是由PbF:Yb
3+
、Tm
3+
构成的,其中Yb
3+
和Tm
3+
替代部分Ph2+的格位而形成了荷正电的局域杂质中心。这些局域杂质中心导致了PbF
2
+WO
3
+GeO
2
+YbF
3
+TmF
3
中局域电场的形成。除了晶格振动对极化率调制引起的喇曼散射外。这种局域电场诱发了新的附加喇曼效应,导致了玻璃陶瓷PbF
2
+WO
3
+GeO
2
+YbF
3
+TmF
3
中的各个微晶的晶轴的取向在空间形成有规律分布。
关键词:上转换;玻璃陶瓷;局域行为
38
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发布时间:2020-08-11
掺Sb对PbWO
4
晶体发光性能的改善
陈永虎,施朝淑,胡关钦
1999, 20(4): 330-335.
摘要:首次报道了PbWO
4
:Sb的光谱特性,包括透射谱和Xe灯光源激发的发射谱与激发谱。掺Sb具有增强绿光带、抑制红光带并大幅度提高光产额的效果。通过与空气退火PWO发光的比较,对绿光带的起因、Sb掺杂的作用也进行了简要的讨论。
关键词:PbWO
4
晶体;发光性能;晶体缺陷;Sb掺杂
35
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发布时间:2020-08-11
Au对GaP接触界面形成及其特性
林秀华
1999, 20(4): 336-341.
摘要:借助X射线衍射和扫描电子显微镜研究了An和GaP接触体系界面特性的温度依赖性。测量表明,既使在低于400℃温度下界面反应也会生成少量的An-GaP金属间化合物,它的主要成份是(GaAu)H,Ga
2
Au.在较高温度550℃合金条件下,GaP化合物表面发生分解,界面反应增强并伴随着快速的原子间互扩散。大量Ga原子向外迁移进人An膜复盖层。同时,An原子也内扩散进入GaP表面,An-Ga之间界面反应生成(GaAu)H,Ga
2
An和(GaAu)8O.实验结果指出,An和GaP接触界面是一个金属一半导体界面反应层和合金再生长层。它含有An、Ga、P原子。An-Ga金属间化合物的形成有助改善An膜机械强度和粘附性。扫描电子显微镜观察发现,当合金温度超过AuGa共熔温度470℃,表面形貌变得粗糙和不均匀。随着温度上升,M-S接触界面层微结晶颗粒变大。在600℃下,微结晶效应显着。事实上,这种合金条件无助于欧姆接触制备。
关键词:An-GaP接触;界面反应;X射线衍射谱;表面性质
59
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发布时间:2020-08-11
808nm准连续阵列半导体激光器
高欣,薄报学,曲轶,张宝顺,张兴德
1999, 20(4): 342-345.
摘要:报道了808nm无铝InGaAsP/GaAs高功率准连续阵列半导体激光器。在频率1000Hz,脉冲宽度200μs,占空比达20%时,单阵列条的输出光功率室温下达到37W。
关键词:准连续;阵列;半导体激光器;占空比
46
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发布时间:2020-08-11
多模发射的单层有机光学微腔
刘星元,冯纪蒙,刘云,梁春军,赵东旭,洪自若,赵家民,鄂树林,李文连,虞家琪,王立军
1999, 20(4): 346-350.
摘要:研究了有机发光材料在F-P微腔中的发光特性。有机光学微腔以多层介质膜和金属铝(Al)分别作为反射镜,8-羟基喹啉铝(Alq)为发光材料。在微腔的光致发光谱中观察到了多个模式以及明显的谱线窄化现象,发射光谱的主要特征和F-P徽腔的谐振模式相同。
关键词:有机微腔;光谱窄化;光学微腔
47
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1
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发布时间:2020-08-11
有机半导体PTCDA的制备及其结构表征和光吸收特性研究
张福甲,邵佳锋,张德江,奇莉,甘润今
1999, 20(4): 351-357.
摘要:详细叙述了利用1.8-萘二甲酸酐作为原料制备有机半导体材料PTCDA的方法;并通过质谱、红外光谱、核磁共振谱、X射线衍射谱及可见光吸收谱的测试分析,对它的结构和光吸收特性进行了进一步深入研究。
关键词:PTCDA的制备;结构表征;光吸收特性
57
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12
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发布时间:2020-08-11
溴乙锭的化学发光性质研究
庄惠生,陈国南,黄金陵
1999, 20(4): 358-362.
摘要:首次研究了澳乙锭的化学发光性质,发现在强酸性介质中,RNA能增强澳乙锭与高锰酸钾反应的化学发光强度。在EC-KMnO
4
-RNA体系中获得的化学发光强度与RNA浓度在一定范围内成线性关系,因此,建立了一种测定RNA的化学发光分析新方法。并用于合成样品中的RNA含量的测定。方法的线性范围为0.10~10.0μm/mL,检测限为0.060μg/mL,测定浓度为3.5μg/mL的RNA溶液12次,求得相对标准偏差为3.8%;具有较高的精密度,准确度和选择性。
关键词:化学发光;溴乙锭;RNA
36
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发布时间:2020-08-11
外差式声光频谱分析仪的灵敏计算
李也凡
1999, 20(4): 363-367.
摘要:由于电子对抗的迅速发展,使得射频电信号的频谱分析成为一项关键技术。声光频谱分析器具有极高的速度,极大的容量和100%的截获率。特别是外差式的声光频谱分析器还可以具有较大的动态范围和获得射频信号的全部信息的能力。所以,如果能在电子援助措施中引人外差式声光频谱分析手段,势必明显提高系统的处理速度和其他指标。国外在十余年前便有人开始尝试这类方案。近来的预警飞机和JTIDS使问题变得更加突出,但在以前国内尚未有人做过此类工作。我们成功地研制出一台样机,在此基础上给出了这种体波声光外差接收机的基本原理,并着重讨论了灵敏度这一重要指标的计算方法等问题。样机达到如下的设计指标:激光功率3mw动态范围≥50dB频率分辨率2MHz带宽20MHz中心频率140MHz。
关键词:声光;外差;频谱分析;灵敏度
40
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发布时间:2020-08-11
非线性迭层光栅的光学限制特性
刘大力,李公羽,何晓东,孙雅东,赵昱,祁雷,林久令,范俊清,徐迈,范希武
1999, 20(4): 368-371.
摘要:首次报导了在具有非线性响应的ZnS/ZnSe迭层光栅中实现的光学限制效应,其光学限制阈值大约为140mW(1.42×10
5
W/cm
2
),限幅阈值24mW.理论分析表明,这种迭晨光栅的光学限制机理是来自双光子吸收产生的自由载流子引起的自散焦效应对材料折射率的贡献,产生了非线性折射率的结果。我们发现这种由半导体多层结构制成的光功率限制器不但具有较低的阈值和较宽的频谱响应,而且具有其阈值强度依赖于器件的各种参数的特点。因此,它比单层结构的功率限制器的适应性更强。
关键词:迭层光栅;光学限制;自散焦
44
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7
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发布时间:2020-08-11
单分子-光子制冷泵
秦伟平
1999, 20(4): 372-375.
摘要:在分子尺度上研究了反斯托克斯荧光制冷的微观机制,首次提出“单分子-光子柔(SMPC)”概念。阐述了单个分子就可以制冷的观点,提出了在特定的条件下,单个分子可成为一台最小制冷机。通过分析该“单分子-光子泵”制冷的工作原理,论述了它的工作过程和特点。最后讨论了影响“单分子-光子泵”制冷效率的关键条件。
关键词:光子泵;激光制冷;反斯托克斯荧光
32
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发布时间:2020-08-11
稀土发光材料
助熔剂对发光体BaAl
12
O
19
:Mn结构及发光的影响
洪广言,曾小青,尤洪鹏
1999, 20(4): 311-315.
摘要:在几种不同的助熔剂的作用下合成了BaAl
12
O
19
:Mn发光体,XRD谱显示助熔剂不仅有利于基质的结晶成核,而且对基质的不同晶面的生长也有影响。其UV光谱表明不同的助熔剂对其发光的影响不一样,H
3
BO
3
不利于其发光,AlF
3
对其发光的提高不大,BaF
2
则可以较大地增加其发光强度。其VUV光谱显示在150nm附近有较强的激发证实了其可成为用于PDP的荧光粉之一。
关键词:助熔剂;BaAl
12
O
19
:Mn;发光
29
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5
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发布时间:2020-08-11
掺杂Gd
3+
对Y
2
O
2
S:Eu
3+
发光特性的影响
李灿涛,袁剑辉,张万锴,刘行仁
1999, 20(4): 316-319.
摘要:在红色荧光粉Y
2
O
2
S.Eu
3+
的制备过程中掺人了不同浓度的Ga
2
O
3
发现在掺入适当浓度的Ga
2
O
3
的情况下。可以增强发射强度并改善其电压特性,即在保证所要求的发光颜色、粒径和其它物理及化学特性的条件下。可改善发射强度与激发电压间的关系。讨论和分析了发射强度被增强的起因。Ga
3+
对Y
3+
的置换,减少了因Eu
3+
对Y
3+
置换所引起的晶格的畸变,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失。这样,Eu
3+
离子晶场环境的改善,增强了Y
2
O
2
S:Eu
3+
阴极射线发射光谱中主发射峰626nm,704nm的发射强度。
关键词:Gd
2
O
3
;红色荧光粉;发光亮度
46
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发布时间:2020-08-11
AlN:TbF
3
薄膜的电致发光
赵彦立,钟国柱,范希武,李长华
1999, 20(4): 320-324.
摘要:用射频磁控反应溅射的方法,以金属AI和TbF
3
为靶材,在总压为1Pa,N
2
/Ar比为20/80的气氛下,制备了AIN:TbF
3
薄膜。研究了不同制备条件对薄膜光致发光相对亮度的影响。进一步实验表明,电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度和温度的依赖关系。在衬底温度为600℃,TbF
3
含量约为4.0mol%的条件下制备的AIN:TbF
3
ACT-FEL器件,在交流驱动条件下,得到了Tb
3+
离子的特征发光。为电致发光提供了新的候选材料。这在国际上是首次报导。
关键词:电致发光;薄膜;AIN:TbF
3
32
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发布时间:2020-08-11
Yb:YAG晶体中的荧光浓度猝灭现象
杨培志,邓佩珍,殷之文
1999, 20(4): 325-329.
摘要:在Yb:YAG晶体中发现浓度猝灭现象,对猝灭机制进行了分析研究。指出退火前晶体的荧光浓度猝灭现象主要由Yb
2+
、色心和由此产生的晶格畸变所致;高掺杂浓度时痕量稀土杂质离子的存在也将导致浓度猝灭。确定了Yb:YAG晶体中Yb
3+
的理想掺杂浓度。
关键词:Yb:YAG晶体;浓度猝灭;荧光寿命;掺杂浓度
59
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发布时间:2020-08-11
发光搪瓷釉料研究
张玉军,刘援朝,朱仲力
1999, 20(4): 376-381.
摘要:铕激活的铝酸锶系列超长余辉发光粉具有起始亮度高、余辉时间长、无放射性毒害等突出优点,成为当前一类极具发展前途的发光材料。本项目采用该系列发光材料,研究了蓄能发光搪瓷釉料,并制备了性能稳定的发光搪瓷制品。
关键词:铝酸腮;发光粉;搪瓷;釉料
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发布时间:2020-08-11
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