Au对GaP接触界面形成及其特性

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Au对GaP接触界面形成及其特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Au对GaP接触界面形成及其特性
- INTERFACE FORMATION AND PROPERTIESIN An CONTACT TO GaP
- 发光学报 1999年20卷第4期页码：336-341
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系
  2. 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室, 福建厦门361005
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金资助(E97001);厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助
- DOI：
  中图分类号： O472
- 收稿：1998-12-15，
  
  修回：1999-6-8，
  
  纸质出版：1999-11-30
- 稿件说明：
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林秀华. Au对GaP接触界面形成及其特性[J]. 发光学报, 1999,20(4): 336-341

LIN Xiuhua. INTERFACE FORMATION AND PROPERTIESIN An CONTACT TO GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 336-341
林秀华. Au对GaP接触界面形成及其特性[J]. 发光学报, 1999,20(4): 336-341 DOI：

LIN Xiuhua. INTERFACE FORMATION AND PROPERTIESIN An CONTACT TO GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 336-341 DOI：

借助X射线衍射和扫描电子显微镜研究了An和GaP接触体系界面特性的温度依赖性。测量表明

既使在低于400℃温度下界面反应也会生成少量的An-GaP金属间化合物

它的主要成份是(GaAu)H

Au.在较高温度550℃合金条件下

GaP化合物表面发生分解

界面反应增强并伴随着快速的原子间互扩散。大量Ga原子向外迁移进人An膜复盖层。同时

An原子也内扩散进入GaP表面

An-Ga之间界面反应生成(GaAu)H

An和(GaAu)8O.实验结果指出

An和GaP接触界面是一个金属一半导体界面反应层和合金再生长层。它含有An、Ga、P原子。An-Ga金属间化合物的形成有助改善An膜机械强度和粘附性。扫描电子显微镜观察发现

当合金温度超过AuGa共熔温度470℃

表面形貌变得粗糙和不均匀。随着温度上升

M-S接触界面层微结晶颗粒变大。在600℃下

微结晶效应显着。事实上

这种合金条件无助于欧姆接触制备。

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