掺杂Gd3+对Y2O2S：Eu3+发光特性的影响

李灿涛; 袁剑辉; 张万锴; 刘行仁

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掺杂Gd³⁺对Y₂O₂S：Eu³⁺发光特性的影响

稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- 掺杂Gd³⁺对Y₂O₂S：Eu³⁺发光特性的影响
- EFFECTS OF DOPING Gd³⁺ ON LUMINESCENCECHARACTER OF Y₂O₂S：Eu³⁺
- 发光学报 1999年20卷第4期页码：316-319
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 陕西咸阳彩虹集团公司荧光粉厂, 陕西成阳712021
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：1999-01-25，
  
  修回：1999-5-23，
  
  纸质出版：1999-11-30
- 稿件说明：
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李灿涛, 袁剑辉, 张万锴, 刘行仁. 掺杂Gd3+对Y2O2S：Eu3+发光特性的影响[J]. 发光学报, 1999,20(4): 316-319

LI Cantao, YUAN Jianhui, ZHANG Wankai, LIU Xingren. EFFECTS OF DOPING Gd3+ ON LUMINESCENCECHARACTER OF Y2O2S：Eu3+[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 316-319
李灿涛, 袁剑辉, 张万锴, 刘行仁. 掺杂Gd3+对Y2O2S：Eu3+发光特性的影响[J]. 发光学报, 1999,20(4): 316-319 DOI：

LI Cantao, YUAN Jianhui, ZHANG Wankai, LIU Xingren. EFFECTS OF DOPING Gd3+ ON LUMINESCENCECHARACTER OF Y2O2S：Eu3+[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 316-319 DOI：

摘要

在红色荧光粉Y

S.Eu

的制备过程中掺人了不同浓度的Ga

发现在掺入适当浓度的Ga

的情况下。可以增强发射强度并改善其电压特性

即在保证所要求的发光颜色、粒径和其它物理及化学特性的条件下。可改善发射强度与激发电压间的关系。讨论和分析了发射强度被增强的起因。Ga

对Y

的置换

减少了因Eu

对Y

置换所引起的晶格的畸变

从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失。这样

离子晶场环境的改善

增强了Y

S:Eu

阴极射线发射光谱中主发射峰626nm

704nm的发射强度。

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EFFECTS OF DOPING Gd3+ ON LUMINESCENCECHARACTER OF Y2O2S：Eu3+

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掺杂Gd³⁺对Y₂O₂S：Eu³⁺发光特性的影响

EFFECTS OF DOPING Gd³⁺ ON LUMINESCENCECHARACTER OF Y₂O₂S：Eu³⁺