808nm准连续阵列半导体激光器

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

808nm准连续阵列半导体激光器

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 808nm准连续阵列半导体激光器
- 808nm QCW SEMICONDUCTOR LASERS ARRAYS
- 发光学报 1999年20卷第4期页码：342-345
- 作者机构：
  
  长春光学精密机械学院, 高功率半导体激光国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家863高技术基金
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：1999-06-07，
  
  修回：1999-8-20，
  
  纸质出版：1999-11-30
- 稿件说明：
移动端阅览
高欣, 薄报学, 曲轶, 张宝顺, 张兴德. 808nm准连续阵列半导体激光器[J]. 发光学报, 1999,20(4): 342-345

GAO Xin, BO Bac-cue, QU Yi, ZHANG Baoshun, ZHANG Xingde. 808nm QCW SEMICONDUCTOR LASERS ARRAYS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 342-345
高欣, 薄报学, 曲轶, 张宝顺, 张兴德. 808nm准连续阵列半导体激光器[J]. 发光学报, 1999,20(4): 342-345 DOI：

GAO Xin, BO Bac-cue, QU Yi, ZHANG Baoshun, ZHANG Xingde. 808nm QCW SEMICONDUCTOR LASERS ARRAYS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(4): 342-345 DOI：

报道了808nm无铝InGaAsP/GaAs高功率准连续阵列半导体激光器。在频率1000Hz

脉冲宽度200μs

占空比达20%时

单阵列条的输出光功率室温下达到37W。

浏览量

193

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于Ga-Diamond液态金属常温封装的高功率LD巴条热应力抑制研究

890 nm大功率半导体激光泵浦源性能优化

高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器

基于束腰劈裂偏振合束高亮度窄线宽半导体激光器

970 nm高功率光栅外腔可调谐半导体激光器

相关机构

中国科学院大学

中国科学院西安光学精密机械研究所超快光科学与技术全国重点实验室

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术全国重点实验室

辽宁科技学院电气与自动化工程学院

华晨宝马汽车有限公司

AI问答

⁰