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偏振相关的压应变量子阱增益芯片
器件制备及器件物理 | 更新时间：2025-10-30

    • 偏振相关的压应变量子阱增益芯片

      增强出版

    • Polarization-dependent Strain Quantum Well Gain Chips

    • “最新研究揭示了半导体增益芯片在量子精密测量等领域的应用潜力，通过优化量子阱厚度和应变，显著提升了偏振消光比和输出功率。”
    • 发光学报   2025年46卷第10期 页码：1940-1947

    • DOI：10.37188/CJL.20250114    

      中图分类号： TN248.4
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20250114    

    • 收稿：2025-04-13，

      修回：2025-04-30，

      纸质出版：2025-10-25

    移动端阅览

  • 段宜江,陈超,孙晶晶等.偏振相关的压应变量子阱增益芯片[J].发光学报,2025,46(10):1940-1947. DOI： 10.37188/CJL.20250114. CSTR： 32170. 14. CJL. 20250114.

    DUAN Yijiang,CHEN Chao,SUN Jingjing,et al.Polarization-dependent Strain Quantum Well Gain Chips[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(10):1940-1947. DOI： 10.37188/CJL.20250114. CSTR： 32170. 14. CJL. 20250114.

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