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二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能
更新时间：2025-11-04

    • 二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能

      增强出版

    • 2D h-BN Nanosheets as Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-Emitting Diode

    • “在新一代显示技术领域，研究者引入六方氮化硼材料，有效提升量子点发光二极管性能，为显示技术发展提供新思路。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-10

    • DOI：10.37188/CJL.20250220    

      中图分类号：
    • CSTR：32170.14.CJL. 20250220    

    • 网络出版：2025-10-30，

    移动端阅览

  • 王宁,张玉,杨苏文等.二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250220 CSTR： 32170.14.CJL. 20250220.

    WANG Ning,ZHANG Yu,YANG Suwen,et al.2D h-BN Nanosheets as Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-Emitting Diode[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250220 CSTR： 32170.14.CJL. 20250220.

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