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二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-04-14

    • 二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能

      增强出版

    • 2D h-BN Nanosheets as an Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-emitting Diodes

    • 发光学报   2026年47卷第1期 页码：124-132

    • DOI：10.37188/CJL.20250220    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20250220    

    • 收稿：2025-09-23，

      修回：2025-10-13，

      纸质出版：2026-01-25

    移动端阅览

  • 王宁,张玉,杨苏文等.二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能[J].发光学报,2026,47(01):124-132. DOI： 10.37188/CJL.20250220. CSTR： 32170.14.CJL.20250220.

    WANG Ning,ZHANG Yu,YANG Suwen,et al.2D h-BN Nanosheets as an Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(01):124-132. DOI： 10.37188/CJL.20250220. CSTR： 32170.14.CJL.20250220.

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