Les diodes électroluminescentes à boîtes quantiques (QLED) représentent une direction importante pour le développement des technologies d’affichage de nouvelle génération. Leur couche de transport d’électrons (ETL) est généralement réalisée en oxyde de zinc (ZnO). Cependant, la mobilité électronique trop élevée du ZnO entraîne un déséquilibre dans l’injection des porteurs dans la couche d’émission (EML), tandis que les défauts de surface, tels que les lacunes en oxygène, provoquent une recombinaison non radiative. Cette étude introduit de manière innovante le nitrure de bore hexagonal (h-BN), un matériau bidimensionnel typique, pour construire une couche barrière électronique entre l’EML et le ZnO. Les résultats expérimentaux montrent que l’ajout de h-BN améliore efficacement l’équilibre des porteurs à l’intérieur du dispositif et inhibe significativement la désactivation de la luminescence due aux défauts de ZnO. Après modification de l’interface par h-BN, l’efficacité quantique externe (EQE) et l’efficacité de courant (CE) des dispositifs QLED atteignent respectivement 17,31 % et 18,80 cd/A, soit une amélioration de 12,4 % et 7,43 % par rapport aux dispositifs de référence. Cette recherche révèle non seulement la valeur innovante des matériaux bidimensionnels dans les dispositifs QLED, mais offre également de nouvelles pistes pour le développement approfondi des technologies d’affichage.

QLED; nitrure de bore hexagonal; couche barrière d’électrons; équilibre d’injection des porteurs; modification d’interface