Les diodes électroluminescentes à points quantiques (QLED) représentent une direction importante dans le développement des technologies d'affichage de nouvelle génération. Leur couche de transport électronique (ETL) est généralement composée d'oxyde de zinc (ZnO). Cependant, la mobilité électronique trop élevée de ZnO provoque un déséquilibre dans l'injection des porteurs de charge au sein de la couche d'émission (EML), tandis que les défauts tels que les lacunes en oxygène de surface entraînent une recombinaison non radiative. Cette étude introduit de manière innovante le nitrure de bore hexagonal (h-BN), un matériau bidimensionnel typique, comme couche barrière électronique à l'interface entre l'EML et le ZnO. Les résultats expérimentaux montrent que l'introduction de h-BN améliore efficacement l'équilibre des porteurs à l'intérieur du dispositif et supprime significativement la diminution d'émission causée par les défauts de ZnO. Après modification de l'interface avec h-BN, l'efficacité quantique externe (EQE) et l'efficacité courante (CE) des dispositifs QLED atteignent respectivement 17,31 % et 18,80 cd/A, soit une amélioration de 12,4 % et 7,43 % par rapport aux dispositifs de référence. Cette recherche révèle non seulement la valeur innovante des matériaux bidimensionnels dans les dispositifs QLED, mais offre également de nouvelles pistes pour leur développement approfondi dans le domaine des technologies d'affichage.

QLED;nitrure de bore hexagonal;couche barrière électronique;équilibre d'injection des porteurs;modification d'interface