Quantenpunkt-Leuchtdioden (QLED) sind eine wichtige Entwicklung im Bereich der Displaytechnologie der nächsten Generation. Ihre Elektronentransportschicht (ETL) besteht üblicherweise aus Zinkoxid (ZnO). Allerdings führt die hohe Elektronenbeweglichkeit von ZnO zu einem Ungleichgewicht bei der Ladungsträgerinjektion in die Leuchtschicht (EML), und Defekte an der Oberfläche wie Sauerstoffvakanzen verursachen nichtstrahlende Rekombination. Diese Studie führt innovativ sechseckiges Bornitrid (h-BN), ein typisches zweidimensionales Material, ein, um eine elektronische Barrierschicht an der Schnittstelle zwischen EML und ZnO aufzubauen. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Einführung von h-BN das Ladungsträgergleichgewicht im Gerät effektiv verbessert und das aufgrund von ZnO-Defekten verursachte Lumineszenzauslöschen signifikant unterdrückt. Nach der h-BN-Oberflächenmodifikation erreichten QLED-Geräte eine externe Quanteneffizienz (EQE) von 17,31 % und eine Strom Effizienz (CE) von 18,80 cd/A, was im Vergleich zu Referenzgeräten eine Steigerung von 12,4 % bzw. 7,43 % darstellt. Diese Studie zeigt nicht nur den innovativen Wert von zweidimensionalen Materialien in QLED-Geräten auf, sondern bietet auch neue Forschungsansätze für die vertiefte Entwicklung im Bereich der Displaytechnologie.

QLED; sechseckiges Bornitrid; elektronische Barrierschicht; Ladungsträgerinjektionsgleichgewicht; Oberflächenmodifikation