Quantendot-Leuchtdioden (QLED) stellen eine wichtige Entwicklung im Bereich der neuen Display-Technologien dar. Ihre Elektronentransportschicht (ETL) besteht üblicherweise aus Zinkoxid (ZnO). Allerdings führt die zu hohe Elektronenbeweglichkeit von ZnO zu einem Ungleichgewicht bei der Ladungsträgerinjektion in der Emissionsschicht (EML), während Defekte wie Sauerstoffvakanzstellen an der Oberfläche nichtstrahlende Rekombination verursachen. In dieser Studie wird innovativ sechseckiges Bornitrid (h-BN), ein typisches zweidimensionales Material, als elektronische Barrierschicht an der Schnittstelle zwischen EML und ZnO eingeführt. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Einführung von h-BN das Ladungsträgergleichgewicht im Inneren des Geräts effektiv verbessert und die durch ZnO-Defekte verursachte Leuchtlöschung erheblich unterdrückt. Nach der Oberflächenmodifikation mit h-BN erreichten die QLED-Geräte eine externe Quanteneffizienz (EQE) von 17,31 % und eine Stromeffizienz (CE) von 18,80 cd/A, was eine Steigerung um 12,4 % bzw. 7,43 % gegenüber Referenzgeräten darstellt. Die Studie offenbart nicht nur den innovativen Wert von zweidimensionalen Materialien in QLED-Geräten, sondern bietet auch neue Forschungsansätze für deren tiefere Entwicklung im Bereich der Display-Technologien.

QLED;sechseckiges Bornitrid;elektronische Barrierschicht;Ladungsträgerinjektionsgleichgewicht;Oberflächenmodifikation