Квантовые точечные светоизлучающие диоды (QLED) являются важным направлением развития новых технологий дисплеев. Электронно-транспортный слой (ETL) обычно изготавливается из оксида цинка (ZnO). Однако слишком высокая подвижность электронов в ZnO приводит к дисбалансу инжекции носителей в светоизлучающем слое (EML), а дефекты, такие как кислородные вакансии на поверхности, вызывают безлучевую рекомбинацию. В настоящем исследовании инновационно введён шестиугольный нитрид бора (h-BN), типичный двумерный материал, в качестве электронного барьерного слоя на интерфейсе между EML и ZnO. Экспериментальные результаты показывают, что внедрение h-BN эффективно улучшает баланс носителей внутри устройства и значительно подавляет вызванное дефектами ZnO гашение люминесценции. После модификации интерфейса h-BN внешняя квантовая эффективность (EQE) и токовая эффективность (CE) QLED достигли 17,31% и 18,80 кд/А соответственно, что на 12,4% и 7,43% превышает показатели контрольного устройства. Исследование не только раскрывает инновационную ценность двумерных материалов в QLED, но и предлагает новые направления для углублённой разработки в области дисплейных технологий.

QLED;шестиугольный нитрид бора;электронный барьерный слой;баланс инжекции носителей;модификация интерфейса