Квантово-точечные светодиоды (QLED) являются важным направлением развития новой генерации дисплейных технологий, при этом электронно-транспортный слой (ETL) обычно изготавливается из оксида цинка (ZnO). Однако слишком высокая подвижность электронов в ZnO может привести к дисбалансу инжекции носителей в эмиссионном слое (EML), а дефекты поверхности, такие как кислородные вакансии, вызывают безызлучательную рекомбинацию. В данном исследовании инновационно введён шестиугольный нитрид бора (h-BN), типичный двумерный материал, для формирования электронного барьерного слоя на интерфейсе EML и ZnO. Экспериментальные результаты показали, что введение h-BN эффективно улучшает баланс носителей внутри устройства и значительно подавляет свечение из-за дефектов ZnO. После модификации интерфейса h-BN внешний квантовый выход (EQE) и эффективность по току (CE) QLED достигли 17.31% и 18.80 cd/A соответственно, что на 12.4% и 7.43% выше по сравнению с эталонным устройством. Это исследование не только раскрывает инновационную ценность применения двумерных материалов в QLED, но и открывает новые исследовательские направления для углублённого развития в области дисплейных технологий.

QLED;шестиугольный нитрид бора;электронный барьерный слой;баланс инжекции носителей;модификация интерфейса