Светодиоды на основе квантовых точек (QLED) как важное направление новой технологии дисплеев, обычно используют оксид цинка (ZnO) в качестве электронного транспортного слоя (ETL). Однако повышенная подвижность электронов ZnO может привести к дисбалансу инжекции носителей заряда в экситонной световой эмиссионный слой (EML), а также дефекты поверхности ZnO, такие как кислородные вакансии, могут вызвать нерадиационное рекомбинацию. В этом исследовании впервые инновационно введено гексагональное нитрида бора (h-BN), типичный двумерный материал, для формирования электронного барьерного слоя между EML и ZnO. Результаты экспериментов показали, что введение h-BN эффективно улучшает баланс несущих зарядов внутри устройства и значительно подавляет неравновесную рекомбинацию излучения, вызванную дефектами ZnO. После модификации интерфейса h-BN, внешняя квантовая эффективность (EQE) устройства и электрическая эффективность тока (CE) достигли 17,31 % и 18,80 cd/A соответственно, что означает увеличение на 12,4 % и 7,43 % по сравнению со справочным устройством. Это исследование не только раскрывает инновационную ценность двумерных материалов в устройствах QLED, но также предлагает новые исследовательские подходы для их глубокого развития в области технологии дисплеев.

QLED; гексагональный нитрид бора; электронный барьерный слой; баланс инжекции несущих зарядов; модификация интерфейса