Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) son una dirección importante para el desarrollo de tecnologías de visualización de nueva generación, y su capa de transporte de electrones (ETL) generalmente utiliza material de óxido de zinc (ZnO). Sin embargo, la alta movilidad electrónica de ZnO puede causar un desequilibrio en la inyección de portadores en la capa emisora (EML), y los defectos en su superficie, como las vacantes de oxígeno, provocan recombinación no radiante. Este estudio introduce de manera innovadora el nitruro de boro hexagonal (h-BN), un material bidimensional típico, para construir una capa de bloqueo electrónico entre la interfaz del EML y ZnO. Los resultados experimentales muestran que la introducción de h-BN mejora eficazmente el equilibrio de portadores dentro del dispositivo y suprime significativamente la extinción de la luminiscencia causada por los defectos de ZnO. Tras la modificación de la interfaz con h-BN, la eficiencia cuántica externa (EQE) y la eficiencia de corriente (CE) de los dispositivos QLED alcanzaron 17.31% y 18.80 cd/A respectivamente, logrando mejoras de 12.4% y 7.43% en comparación con los dispositivos de referencia. Este estudio no solo revela el valor innovador de los materiales bidimensionales en dispositivos QLED, sino que también proporciona nuevas ideas de investigación para el desarrollo profundo en el campo de la tecnología de visualización.

QLED; nitruro de boro hexagonal; capa de bloqueo electrónico; equilibrio en la inyección de portadores; modificación de interfaz