Los diodos emisores de luz cuántica (QLED) como una dirección importante de la nueva tecnología de visualización, suelen utilizar óxido de zinc (ZnO) como capa de transporte de electrones (ETL). Sin embargo, la movilidad excesiva de los electrones ZnO puede provocar un desequilibrio en la inyección de portadores en la capa emisora de luz de excitones (EML), mientras que los defectos en la superficie de ZnO, como las vacantes de oxígeno, pueden provocar recombinación no radiactiva. Este estudio introduce de manera innovadora el nitruro de boro hexagonal (h-BN) como un material bidimensional típico para construir una capa de bloqueo de electrones entre EML y ZnO. Los resultados experimentales muestran que la introducción de h-BN mejora eficazmente el equilibrio de portadores dentro del dispositivo e inhibe significativamente la extinción lumínica causada por los defectos de ZnO. Después de la modificación de la interfaz h-BN, la eficiencia cuántica externa (EQE) y la eficiencia de corriente (CE) del dispositivo QLED alcanzaron 17,31 % y 18,80 cd/A respectivamente, lo que representa un aumento del 12,4 % y 7,43 % en comparación con el dispositivo de referencia. Este estudio no solo revela el valor innovador de los materiales bidimensionales en los dispositivos QLED, sino que también ofrece nuevas ideas para su desarrollo en el campo de la tecnología de visualización.

QLED; nitruro de boro hexagonal; capa de bloqueo de electrones; equilibrio de inyección de portadores; modificación de interfaz