Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) son una dirección importante en el desarrollo de tecnologías de visualización de nueva generación. Su capa de transporte electrónico (ETL) suele estar hecha de óxido de zinc (ZnO). Sin embargo, la movilidad electrónica excesivamente alta de ZnO puede provocar un desequilibrio en la inyección de portadores en la capa emisora (EML), mientras que defectos como las vacantes de oxígeno superficiales pueden causar recombinación no radiativa. Este estudio introduce de manera innovadora el nitruro de boro hexagonal (h-BN), un material bidimensional típico, para construir una capa barrera electrónica en la interfaz entre el EML y ZnO. Los resultados experimentales muestran que la incorporación de h-BN mejora eficazmente el equilibrio de portadores dentro del dispositivo y suprime significativamente la extinción de la emisión causada por defectos de ZnO. Tras la modificación de la interfaz con h-BN, la eficiencia cuántica externa (EQE) y la eficiencia de corriente (CE) de los dispositivos QLED alcanzan el 17,31 % y 18,80 cd/A respectivamente, lo que representa un aumento del 12,4 % y 7,43 % en comparación con dispositivos de referencia. Este estudio no solo revela el valor innovador de los materiales bidimensionales en dispositivos QLED, sino que también ofrece nuevas ideas para su desarrollo en el campo de las tecnologías de visualización.

QLED;nitruro de boro hexagonal;capa barrera electrónica;equilibrio de inyección de portadores;modificación de interfaz