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高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-04-14

    • 高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器

    • 1 060 nm High-brightness HiBBEE Tapered Semiconductor Laser

    • 发光学报   2025年46卷第7期 页码：1310-1316

    • DOI：10.37188/CJL.20250056    

      中图分类号： TN248.4
    • CSTR：32170.14.CJL.20250056    

    • 收稿：2025-03-03，

      修回：2025-03-15，

      纸质出版：2025-07-25

    移动端阅览

  • 刘祥,吴承坤,薛晓娥等.高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器[J].发光学报,2025,46(07):1310-1316. DOI： 10.37188/CJL.20250056. CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

    LIU Xiang,WU Chengkun,XUE Xiaoe,et al.1 060 nm High-brightness HiBBEE Tapered Semiconductor Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(07):1310-1316. DOI： 10.37188/CJL.20250056. CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

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相关作者

刘祥
吴承坤
薛晓娥
Miah Md. Jarez
汪丽杰
宿家鑫
高翔
Sana Fatima

相关机构

柏林工业大学 固体物理研究所纳米光学中心， 德国 柏林 D
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，大珩光电技术战略研究中心
孟加拉国工程技术大学，信息与通信技术学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，Bimberg中德绿色光子学研究中心 & 特种发光科学与技术全国重点实验室
长春理工大学　高功率半导体激光国家重点实验室
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