Для достижения высокой яркости и низкого угла расхождения излучения при 1060 нм полупроводникового лазера применяется чип с вертикальной широкой областью излучения высокой яркости (HiBBEE) и разрабатывается успешно конический полупроводниковый лазер. В этом лазере используется узкий волновод шириной 7 мкм для достижения одномодового излучения, а также участок конического волновода шириной 100 мкм на задней поверхности для увеличения мощности. Яркость лазера достигает 25 МВт см^-2 стер^-1 при рабочем токе 1.5 А. Благодаря структуре HiBBEE вертикальный угол расхождения уменьшается до 8.0°. У этого лазера есть важные применения в области лазерных радаров, безопасных для глаз.

Полупроводниковый конический лазер; вертикальный широкополосный излучатель; высокая яркость; качество пучка