摘要
Для достижения высокой яркости и малого угла расходимости выхода полупроводникового лазера с длиной волны 1060 нм использовался эпитаксиальный чип HiBBEE с вертикальной широкой зоной бокового излучения высокой яркости. Был успешно спроектирован и изготовлен конический полупроводниковый лазер HiBBEE. Лазер использует 7-микрометровый узкий риджевый волновод для одномодового излучения и коническую часть волновода длиной 100 мкм на задней полупрозрачной поверхности для усиления мощности. При рабочем токе 1.5 А яркость лазера достигает 25 МВт·см-2·ср-1. Благодаря структуре HiBBEE, угол расходимости в вертикальном направлении снижен до 8.0°. Этот лазер имеет важные применения в таких областях, как лазерное радарное оборудование, безопасное для глаз.
关键词
Конический полупроводниковый лазер; Высокояркий лазер с вертикальной широкой зоной бокового излучения; Высокая яркость; Качество луча