Laser à semi-conducteurs conique HiBBEE à haute luminosité de 1060 nm

LIU Xiang ,  

WU Chengkun ,  

XUE Xiaoe ,  

MIAH Md Jarez ,  

WANG Lijie ,  

SU Jiaxin ,  

GAO Xiang ,  

SANA Fatima ,  

TIAN Sicong ,  

BIMBERG Dieter ,  

摘要

Pour obtenir une sortie à haute luminosité et un faible angle de divergence du laser à semi-conducteurs à 1060 nm, une puce épitaxiale à émission latérale de grande largeur verticale haute luminosité (HiBBEE) a été utilisée. Un laser à semi-conducteurs conique HiBBEE a été conçu et fabriqué avec succès. Ce laser utilise un guide d'onde à crête étroite de 7 μm pour une sortie monomode, et une partie guide d'onde conique de 100 μm à la face arrière pour l'amplification de puissance. À un courant de fonctionnement de 1,5 A, la luminosité du laser atteint 25 MW·cm-2·sr-1. Grâce à la structure HiBBEE, l'angle de divergence vertical est réduit à 8,0°. Ce laser a des applications importantes dans des domaines tels que le lidar laser sûr pour les yeux humains.

关键词

Laser à semi-conducteur conique;Laser à émission latérale de grande largeur verticale;Haute luminosité;Qualité du faisceau

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