Para lograr una salida de láser de semiconductor de 1060 nm con alta luminancia y bajo ángulo de divergencia, se utilizó un chip epitaxial HiBBEE con emisión lateral de área ancha vertical de alta luminancia, diseñando y fabricando con éxito un láser de semiconductor cónico HiBBEE. Este láser utiliza una guía estrecha de 7 μm para salida monomodo y una porción de guía cónica de 100 μm en la superficie posterior para amplificación de potencia. Bajo una corriente de funcionamiento de 1.5 A, la luminancia del láser alcanza 25 MW·cm^-2·sr^-1. Mediante la estructura HiBBEE, el ángulo de divergencia vertical se reduce a 8.0°. Este láser tiene aplicaciones importantes en áreas como el lidar seguro para los ojos humanos.

Láser de semiconductor cónico; Láser de emisión lateral de área ancha vertical de alta luminancia; Alta luminancia; Calidad del haz