摘要
Para lograr una salida de alta luminosidad y bajo ángulo de divergencia en el láser de semiconductor de 1 060 nm, se utilizó un chip epitaxial de emisión lateral de zona ancha vertical de alta luminosidad (HiBBEE), se diseñó y fabricó con éxito un láser semiconductor cónico HiBBEE. Este láser utiliza una guía de onda de cresta estrecha de 7 μm para lograr salida monomodo y una parte de guía de onda cónica de 100 μm en la cavidad trasera para amplificación de potencia. Bajo una corriente de trabajo de 1.5 A, la luminosidad del láser alcanza 25 MW·cm-2·sr-1. Con la estructura HiBBEE, el ángulo de divergencia vertical se reduce a 8.0°. Este láser tiene aplicaciones importantes en campos como el lidar láser seguro para los ojos humanos.
关键词
Láser semiconductor cónico;Láser de emisión lateral de zona ancha vertical;Alta luminosidad;Calidad del haz
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