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高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2025-07-18

    • 高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器

    • 1 060 nm High-brightness HiBBEE Tapered Semiconductor Laser

    • “在激光雷达领域，采用HiBBEE外延芯片的锥形半导体激光器实现高亮度、低发散角输出，亮度达25 MW·cm-2·sr-1，垂直发散角降至8.0°。”
    • 发光学报   2025年46卷第7期 页码：1310-1316

    • DOI：10.37188/CJL.20250056    

      中图分类号： TN248.4
    • CSTR：32170.14.CJL.20250056    

    • 收稿日期：2025-03-03，

      修回日期：2025-03-15，

      纸质出版日期：2025-07-25

    移动端阅览

  • 刘祥,吴承坤,薛晓娥等.高亮度1 060 nm HiBBEE锥形半导体激光器[J].发光学报,2025,46(07):1310-1316. DOI： 10.37188/CJL.20250056. CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

    LIU Xiang,WU Chengkun,XUE Xiaoe,et al.1 060 nm High-brightness HiBBEE Tapered Semiconductor Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(07):1310-1316. DOI： 10.37188/CJL.20250056. CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

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长春理工大学　高功率半导体激光国家重点实验室
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