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高亮度1060 nm HiBBEE锥形半导体激光器
更新时间：2025-04-02
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    • 高亮度1060 nm HiBBEE锥形半导体激光器

    • 1060 nm high-brightness HiBBEE tapered semiconductor laser

    • “在激光雷达领域，采用HiBBEE外延芯片的锥形半导体激光器实现高亮度、低发散角输出，亮度达25 MWcm-2sr-1，垂直发散角降至8.0°。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-7

    • DOI：10.37188/CJL.20250056    

      中图分类号：
    • CSTR：32170.14.CJL.20250056    

    • 收稿日期：2025，

      修回日期：2025，

      网络出版日期：2025-04-02，

    移动端阅览

  • 刘祥,吴承坤,薛晓娥等.高亮度1060 nm HiBBEE锥形半导体激光器[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250056 CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

    LIU Xiang,WU Chengkun,XUE Xiaoe,et al.1060 nm high-brightness HiBBEE tapered semiconductor laser[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250056 CSTR： 32170.14.CJL.20250056.

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