预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性

张志宏; 孟兵恒; 王双鹏; 亢玉彬; 魏志鹏

doi:10.37188/CJL.20240199

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预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性

材料合成及性能 | 更新时间：2024-10-31

- 预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性
  增强出版
- Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates
- “在近红外纳米光电子器件领域，GaAs基纳米材料因其优异的光电性能而至关重要。xx专家建立了GaAs/AlGaAs核壳异质结构体系，为解决GaAs纳米线中的Ⅱ型量子阱结构和表面缺陷问题提供了解决方案。”
- 发光学报 2024年45卷第10期页码：1639-1646
- 作者机构：
  
  1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林长春 130022
  2.澳门大学应用物理及材料工程研究院，中国澳门 999078
  3.中国计量大学光学与电子科技学院，浙江杭州 310018
- 作者简介：
  
  [ "张志宏（1995-），男，甘肃兰州人，博士研究生，2018年于长春理工大学获得学士学位，主要从事低微材料光电器件的研究。E-mail： zhihongzhang@um.edu.mo" ]
  [ "亢玉彬（1991-），男，河南商丘人，博士，硕士生导师，2022年于长春理工大学获得博士学位，主要从事低微材料生长及低微材料光电子器件的研究。E-mail： kangyubin@cjlu.edu.cn" ]
  [ "魏志鹏（1978-），男，吉林长春人，博士，教授，博士生导师，2008年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位，主要从事半导体光电子器件方面的研究。E-mail： weizp@cust.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  National Natural Science Foundation of China(12074045;62027820;61904017);Natural Science Foundation of Jilin Province(20230101352JC);The “111” Project of China(D17017)
- DOI：10.37188/CJL.20240199
  中图分类号： O482.31
- 纸质出版日期：2024-10-26，
  
  收稿日期：2024-08-27，
  
  修回日期：2024-09-02，
- 稿件说明：
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张志宏,孟兵恒,王双鹏等.预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性[J].发光学报,2024,45(10):1639-1646.

ZHANG Zhihong,MENG Bingheng,WANG Shuangpeng,et al.Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(10):1639-1646.
张志宏,孟兵恒,王双鹏等.预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性[J].发光学报,2024,45(10):1639-1646. DOI： 10.37188/CJL.20240199.

ZHANG Zhihong,MENG Bingheng,WANG Shuangpeng,et al.Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(10):1639-1646. DOI： 10.37188/CJL.20240199.

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预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性

Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates

DOI：10.37188/CJL.20240199