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预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性
材料合成及性能 | 更新时间：2024-10-31
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    • 预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性

      增强出版

    • Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates

    • “In the field of near-infrared nano-photoelectronic devices, GaAs-based nanomaterials are crucial due to their superior optoelectronic properties. Expert xx established the GaAs/AlGaAs core-shell heterostructure system, which provides solutions to solve the problems of type-Ⅱ quantum well structures and surface defects in GaAs nanowires.”
    • 发光学报   2024年45卷第10期 页码：1639-1646

    • DOI：10.37188/CJL.20240199    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-10-26，

      收稿日期：2024-08-27，

      修回日期：2024-09-02，

    移动端阅览

  • 张志宏,孟兵恒,王双鹏等.预刻蚀硅衬底上生长的GaAs/AlGaAs纳米线的光学特性[J].发光学报,2024,45(10):1639-1646. DOI： 10.37188/CJL.20240199.

    ZHANG Zhihong,MENG Bingheng,WANG Shuangpeng,et al.Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(10):1639-1646. DOI： 10.37188/CJL.20240199.

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张志宏
孟兵恒
王双鹏
亢玉彬
魏志鹏

相关机构

长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室
澳门大学，应用物理及材料工程研究院
中国计量大学，光学与电子科技学院
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