GaAs-basierte Nanomaterialien sind aufgrund ihrer hervorragenden optoelektronischen Eigenschaften für nahinfrarote nanooptische Bauelemente von entscheidender Bedeutung. Allerdings wird die Entwicklung von GaAs-Nanodrähten durch die verkleinerte Größe des GaAs-Materials, hervorgerufen durch eine Mischung der Zinkblend- (ZB) und Wurtzit- (WZ) Phase, die zu Typ-II-Quantentüchern führt, sowie durch Oberflächendefekte aufgrund eines großen Oberflächen-Volumen-Verhältnisses stark behindert. Die Herstellung von GaAs-basierten Nanodrähten mit hoher Leuchteffizienz ist zu einem Forschungsschwerpunkt geworden. In dieser Arbeit wurden GaAs-basierte Nanodrähte mit guter Vertikalität, ausgezeichneter Kristallstruktur und hoher Leuchteffizienz durch Kombination eines vorgeätzten Siliziumsubstrats mit der Bildung einer GaAs/AlGaAs Kern-Schale Heterostruktur unter Nutzung des Schattierungseffekts und der Oberflächenpassivierung hergestellt. Die Hauptbelege hierfür umfassen die ausgeprägte Emission freier Exzitonen in Temperaturspektren und die niedrige thermische Aktivierungsenergie, die in Leistungsspektren angedeutet wird. Die Ergebnisse zeigen, dass die beschriebene Wachstumsmethode zur Verbesserung der Kristallstruktur und optischen Eigenschaften anderer niedrigdimensionaler III-V-Materialien verwendet werden kann und den Weg für zukünftige Nanodrahtbauelemente ebnet.

GaAs-Nanodrähte;GaAs/AlGaAs Kern-Schalen-Struktur;Kristallphase;optische Eigenschaften