Los nanomateriales basados en GaAs son esenciales para dispositivos nano optoelectrónicos en el infrarrojo cercano debido a sus excelentes propiedades optoelectrónicas. Sin embargo, al reducir el tamaño del material GaAs, la estructura de pozo cuántico tipo II causada por la mezcla de fases de blenda de zinc (ZB) y wurtzita (WZ), y los defectos superficiales causados por una alta relación superficie-volumen, obstaculizan seriamente el desarrollo de nanohilos de GaAs. Lograr nanohilos de GaAs con alta eficiencia de emisión ha sido un foco de investigación. Este estudio preparó nanohilos de GaAs con buena verticalidad, excelente estructura cristalina y alta eficiencia de emisión mediante la combinación de un sustrato de silicio preetchado y la formación de una heteroestructura núcleo-cáscara GaAs/AlGaAs, utilizando el efecto sombra y la pasivación superficial. Las principales evidencias incluyen una emisión destacada de excitón libre en el espectro de temperatura variable y una baja energía de activación térmica sugerida por el espectro de potencia variable. Los resultados indican que el método de crecimiento descrito puede usarse para mejorar la estructura cristalina y las propiedades ópticas de otros materiales III-V de baja dimensión, sentando las bases para futuros dispositivos basados en nanohilos.

Nanohilos GaAs; estructura núcleo-cáscara GaAs/AlGaAs; fase cristalina; propiedades ópticas