Les nanomatériaux à base de GaAs sont essentiels pour les dispositifs nano-optoélectroniques proche infrarouges en raison de leurs excellentes propriétés optoélectroniques. Cependant, avec la réduction de la taille des matériaux GaAs, la structure du puits quantique de type II causée par le mélange des phases zinc-blende (ZB) et wurtzite (WZ), ainsi que les défauts de surface induits par un grand rapport surface/volume, entravent fortement le développement des nanofils GaAs. La réalisation de nanofils GaAs à haute efficacité lumineuse est devenue un objectif de recherche. Cette étude a préparé des nanofils GaAs avec une bonne verticalité, une structure cristalline excellente et une haute efficacité lumineuse en combinant un substrat de silicium pré-gravé avec la formation d’une hétérostructure cœur-coquille GaAs/AlGaAs, en utilisant l’effet d’ombre et la passivation de surface. Les principales preuves comprennent une émission exciton libre prononcée dans le spectre à température variable et une faible énergie d’activation thermique suggérée par le spectre à puissance variable. Les résultats montrent que la méthode de croissance décrite peut être utilisée pour améliorer la structure cristalline et les propriétés optiques d’autres matériaux III-V à basse dimension, ouvrant la voie pour les futurs dispositifs à nanofils.

Nanofils GaAs; structure cœur-coquille GaAs/AlGaAs; phase cristalline; propriétés optiques