Наноматериалы на основе GaAs крайне важны для ближних инфракрасных нанофотонных устройств благодаря их превосходным оптоэлектрическим свойствам. Однако при уменьшении размеров материалов GaAs развитие нанопроволок существенно затрудняется из-за смешения фаз цинковитого (ZB) и вурцитового (WZ) типов, что приводит к типу-II квантовых ям, а также из-за поверхностных дефектов, вызванных высоким отношением площади поверхности к объему. Достижение нанопроволок на основе GaAs с высокой квантовой эффективностью излучения стало предметом интенсивных исследований. В этой работе с использованием предварительно травленой кремниевой подложки и формирования ядерно-оболочечной гетероструктуры GaAs/AlGaAs подготовлены нанопроволоки GaAs с хорошей вертикальностью, отличной кристаллической структурой и высокой эффективностью излучения с помощью теневого эффекта и поверхностной пассивации. Основными доказательствами этого являются выраженная эмиссия свободных экситонов в термоспектрах и низкая энергетика тепловой активации, свидетельствующая в спектрах с варьируемой мощностью. Результаты показывают, что описанный метод роста может быть использован для улучшения кристаллической структуры и оптических свойств других низкоразмерных материалов III-V, потенциал которых обещает создание нанопроволочных устройств будущего.

нанопроволоки GaAs;Гетероструктура ядро-оболочка GaAs/AlGaAs;кристаллическая фаза;оптические свойства