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基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-10-31
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    • 基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器

      增强出版

    • Highly Sensitive Photodetectors Based on WS2 Quantum Dots/GaAs Heterostructures

    • “In the field of photodetectors, researchers have made significant progress. They combined 3D GaAs nanowires with 0D WS2 quantum dots to form a heterogeneous structure, which provides a new solution for the preparation of high-performance GaAs detectors and promotes the development of optoelectronic devices for GaAs nanowires.”
    • 发光学报   2024年45卷第10期 页码：1699-1706

    • DOI：10.37188/CJL.20240162    

      中图分类号： TN304

    • 纸质出版日期：2024-10-26，

      收稿日期：2024-06-29，

      修回日期：2024-07-15，

    移动端阅览

  • 李先帅,林逢源,侯效兵等.基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器[J].发光学报,2024,45(10):1699-1706. DOI： 10.37188/CJL.20240162.

    LI Xianshuai,LIN Fengyuan,HOU Xiaobing,et al.Highly Sensitive Photodetectors Based on WS2 Quantum Dots/GaAs Heterostructures[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(10):1699-1706. DOI： 10.37188/CJL.20240162.

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