Die Leistung von Photodetektoren wird maßgeblich durch Oberflächenfehler von GaAs-Nanodrähten beeinflusst. Wir haben dreidimensionale (3D) GaAs-Nanodrähte und nulldimensionale (0D) WS₂-Quantenpunkte (QDs) auf einfache und bequeme Weise zu einer Heterostruktur kombiniert. Diese Heterostruktur erzielt eine Leistungssteigerung durch die Bildung einer Typ-II-Bandstruktur und eröffnet neue Forschungsrichtungen für die zukünftige Entwicklung von Photodetektoren. In dieser Arbeit wurde erfolgreich ein hochempfindlicher Photodetektor basierend auf der WS₂-Quantenpunkt/GaAs-Nanodraht-Heterostruktur hergestellt. Unter Anregung mit einem 660-nm-Laser beträgt die Ansprechrate des Photodetektors 368,07 A/W, die Detektivität 2,7×10¹² Jones, die externe Quanteneffizienz 6,47×10² %, die Äquivalente Rauschleistung 2,27×10^-17 W·Hz^-1/2, die Ansprechzeit 0,3 s und die Rücksetzzeit 2,12 s. Die Studie bietet neue Lösungsansätze für die Herstellung leistungsstarker GaAs-Detektoren und fördert die Weiterentwicklung von GaAs-Nanodraht-Photonikgeräten.

GaAs-Nanodrähte; WS₂-Quantenpunkte; Photodetektor; Typ-II-Bandstruktur