Работа фотодетекторов во многом зависит от дефектов поверхности нанопроволок GaAs. Мы простым и удобным способом объединили трехмерные (3D) нанопроволоки GaAs и нулевомерные (0D) квантовые точки (QDs) из материала WS₂, образовав гетероструктуру. Эта гетероструктура обеспечивает улучшение различных характеристик за счет формирования подсистемы с полосой проводимости типа II, открывая новые направления исследований для будущего развития фотодетекторных устройств. В данной работе успешно изготовлен высокочувствительный фотодетектор на основе гетероструктуры квантовых точек WS₂/нанопроволок GaAs. При возбуждении лазером с длиной волны 660 нм фотодетектор демонстрирует быстродействие 368.07 А/Вт, удельную чувствительность 2.7×10¹² Джонс, внешний квантовый выход 6.47×10²%, эквивалентную мощность с низким уровнем шума 2.27×10^-17 Вт·Гц^-1/2, время отклика 0.3 с, время восстановления 2.12 с. Исследование предлагает новые решения для создания высокопроизводительных детекторов GaAs и способствует развитию фотоприборов на основе нанопроволок GaAs.

нанопроволоки GaAs; квантовые точки WS₂; фотодетектор; гетероструктура с типом энергии II