El rendimiento de los fotodetectores está en gran medida afectado por los defectos en la superficie de los nanohilos de GaAs. Hemos combinado de forma sencilla y conveniente nanohilos tridimensionales (3D) de GaAs y puntos cuánticos (QDs) de dimensión cero (0D) de WS₂ para formar una heteroestructura. Esta heteroestructura mejora diversas características a través de la formación de una estructura de banda tipo II, abriendo nuevas vías de investigación para el desarrollo futuro de dispositivos fotodetectores. En este trabajo se ha fabricado con éxito un fotodetector de alta sensibilidad basado en la heteroestructura de puntos cuánticos WS₂/nanohilos GaAs. Bajo excitación con láser de 660 nm, el fotodetector presenta una responsividad de 368.07 A/W, detectividad de 2.7×10¹² Jones, eficiencia cuántica externa de 6.47×10²%, potencia equivalente de ruido baja de 2.27×10^-17 W·Hz^-1/2, tiempo de respuesta de 0.3 s y tiempo de recuperación de 2.12 s. Este estudio ofrece nuevas soluciones para fabricar detectores GaAs de alto rendimiento y promueve el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos basados en nanohilos de GaAs.

nanohilos GaAs; puntos cuánticos WS₂; fotodetector; estructura de banda tipo II