Les performances des photodétecteurs sont largement influencées par les défauts à la surface des nanofils GaAs. Nous avons combiné de manière simple et pratique des nanofils GaAs tridimensionnels (3D) et des points quantiques (QDs) zéro-dimensionnels (0D) en WS₂ pour former une hétérostructure. Cette hétérostructure réalise une amélioration des performances via la formation d'une structure de bande de type II, ouvrant de nouvelles perspectives pour le développement futur des dispositifs photodétecteurs. Cet article rapporte la fabrication réussie d'un photodétecteur haute sensibilité basé sur l'hétérostructure WS₂ QDs/GaAs nanofils. Sous excitation laser à 660 nm, le photodétecteur atteint un rapport de réponse de 368,07 A/W, un détectivité de 2,7×10¹² Jones, une efficacité quantique externe de 6,47×10² %, une puissance équivalente à faible bruit de 2,27×10^-17 W·Hz^-1/2, un temps de réponse de 0,3 s et un temps de récupération de 2,12 s. Cette étude offre de nouvelles solutions pour la fabrication de détecteurs GaAs haute performance et favorise le développement des dispositifs optoélectroniques à base de nanofils GaAs.

nanofils GaAs; points quantiques WS₂; photodétecteur; structure de bande de type II