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n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-04-08
|

    • n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备

      增强出版

    • Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors

    • ”
    • 发光学报   2024年45卷第3期 页码：476-483

    • DOI：10.37188/CJL.20230320    

      中图分类号： O482.31;TN36

    • 纸质出版日期：2024-03-05，

      收稿日期：2023-12-16，

      修回日期：2024-01-03，

    扫 描 看 全 文

  • 党新明,焦腾,陈沛然等.n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备[J].发光学报,2024,45(03):476-483. DOI： 10.37188/CJL.20230320.

    DANG Xinming,JIAO Teng,CHEN Peiran,et al.Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(03):476-483. DOI： 10.37188/CJL.20230320.

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