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n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备
器件制备及器件物理 | 更新时间:2024-04-08
    • n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备

      增强出版
    • Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors

    • 发光学报   2024年45卷第3期 页码:476-483
    • DOI:10.37188/CJL.20230320    

      中图分类号: O482.31;TN36
    • 纸质出版日期:2024-03-05

      收稿日期:2023-12-16

      修回日期:2024-01-03

    扫 描 看 全 文

  • 党新明,焦腾,陈沛然等.n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备[J].发光学报,2024,45(03):476-483. DOI: 10.37188/CJL.20230320.

    DANG Xinming,JIAO Teng,CHEN Peiran,et al.Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(03):476-483. DOI: 10.37188/CJL.20230320.

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