Es wurde eine Ga₂O₃-Dünnschicht auf einem p⁃GaAs(100)-Substrat mittels metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) epitaktisch aufgewachsen, und ein Tageslichtblinder UV-Detektor mit einer n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs-Heterojunction hergestellt. Die Oberflächenmorphologie und Kristallqualität der Ga₂O₃-Schicht wurden mittels Röntgendiffraktometer, Atomkraftmikroskop und feldemissions-Rasterelektronenmikroskop untersucht und analysiert. Die Ergebnisse zeigten, dass die Ga₂O₃-Schicht eine einheitliche Kristallorientierung aufwies, die Oberfläche glatt war und das Wachstum im Volmer⁃Weber-Modus erfolgte. Tests zeigten, dass der n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs-Heterojunction-Detektor deutliche Gleichrichtereigenschaften besitzt. Das Bauelement erreichte bei einer Rückwärtsspannung von 5 V und UV-Bestrahlung (254 nm) ein Licht/Rausch-Strom-Verhältnis von über 3,0×10⁴, eine Empfindlichkeit von 7,0 A/W, eine externe Quantenwirkungsgrad von 3412 % und eine Detektierbarkeitsrate von 4,6×10¹³ Jones. Wir nutzten die TCAD-Software zur Simulation der Bauelementstruktur, erhielten die Verteilung des elektrischen Feldes und der Energiebandstruktur im Bauelement und analysierten das Arbeitsprinzip des Bauelements. Dieser Heterojunction-Detektor zeigt eine gute Leistung, ist einfach herzustellen und bietet einen neuen Weg zur Entwicklung von ultrasensitiven tageslichtblinden UV-Detektoren auf Ga₂O₃-Basis.

Galliumoxid; metallorganische chemische Gasphasenabscheidung; Heterojunction; tageslichtblinder UV-Detektor