С помощью процесса металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) на подложке p⁃GaAs(100) были эпитаксиально выращены тонкие пленки Ga₂O₃ и изготовлен дневно-слепой ультрафиолетовый детектор с гетеропереходом n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs. Были проведены тесты и анализ морфологии поверхности пленки и кристаллического качества с помощью рентгеновской дифрактометрии, атомно-силового микроскопа и полевого эмиссионного сканирующего электронного микроскопа. Результаты показали, что пленка Ga₂O₃ имеет однонаправленную кристаллическую ориентацию, поверхность гладкая и эпитаксия происходит по модели Volmer⁃Weber. Тестирование показало, что гетероструктурный детектор n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs обладает выраженными выпрямительными свойствами. При обратном смещении 5 В и облучении ультрафиолетовым светом (254 нм) устройство достигло коэффициента фототок/темновой ток более 3.0×10⁴, чувствительности 7.0 А/Вт, внешней квантовой эффективности 3412% и детектируемости 4.6×10¹³ Джонс. Мы использовали программное обеспечение TCAD для моделирования структуры устройства, получили распределение электрического поля и энергетическую структуру внутри устройства, а также проанализировали принцип работы. Этот гетероструктурный детектор обладает хорошими характеристиками, прост в изготовлении и предоставляет новый путь для разработки сверхчувствительных дневно-слепых ультрафиолетовых детекторов на основе Ga₂O₃.

оксид галлия; металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы; гетеропереход; дневно-слепой ультрафиолетовый детектор