Une couche mince de Ga₂O₃ a été épitaxiée sur un substrat p⁃GaAs(100) par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur métallorganique (MOCVD), et un détecteur ultraviolet aveugle à la lumière du jour à jonction hétéro n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs a été fabriqué. La morphologie de surface et la qualité cristalline des films de Ga₂O₃ ont été testées et analysées par diffraction des rayons X, microscope à force atomique et microscope électronique à balayage à émission de champ. Les résultats ont montré que le film Ga₂O₃ était à orientation cristalline unique, avec une surface plane et une croissance épitaxiale selon le modèle Volmer⁃Weber. Les tests ont montré que le détecteur à jonction hétéro n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs possède des caractéristiques de redressement évidentes. Sous une polarisation inverse de 5 V et une irradiation UV (254 nm), le dispositif a réalisé un rapport courant photocourant/courant obscur supérieur à 3,0×10⁴, une responsivité de 7,0 A/W, une efficacité quantique externe de 3412 % et un taux de détection de 4,6×10¹³ Jones. Nous avons utilisé le logiciel TCAD pour simuler la structure du dispositif, obtenir la distribution du champ électrique et la structure de la bande d’énergie à l'intérieur, et analyser le principe de fonctionnement du dispositif. Ce détecteur à jonction hétéro présente de bonnes performances, un procédé de fabrication simple, et offre une nouvelle voie pour le développement de détecteurs ultradélicats aveugles à la lumière du jour à base de Ga₂O₃.

oxyde de gallium; dépôt chimique en phase vapeur métallorganique; jonction hétéro; détecteur ultraviolet aveugle à la lumière du jour