تصنيع كاشف تحت فوق بنفسجي غير حساس للضوء النهاري بصلة غير متجانسة n⁃Ga2O3/p⁃GaAs
摘要
تم تصنيع غشاء رقيق من Ga2O3 على ركيزة p⁃GaAs(100) باستخدام تقنية الترسيب الكيميائي بالبخار العضوي المعدني (MOCVD) وتم تحضير كاشف تحت فوق بنفسجي غير حساس للضوء النهاري باستخدام وصلة غير متجانسة n⁃Ga2O3/p⁃GaAs. تم اختبار وتحليل سطح الغشاء البلوري وجودة البلورة باستخدام جهاز حيود الأشعة السينية، المجهر القوى الذري، ومجهر إلكتروني ماسح ذات انبعاث حقلي. أظهرت النتائج أن غشاء Ga2O3 كان أحادي التوجيه البلوري، وسطح الغشاء مستوٍ ويتبع نمط النمو Volmer⁃Weber. أظهرت الاختبارات أن الكاشف ذو الوصلة غير المتجانسة n⁃Ga2O3/p⁃GaAs يمتلك خصائص تقويم واضحة. عند جهد عكسي 5 فولت وإضاءة فوق بنفسجية بطول موجي 254 نانومتر، حقق الجهاز نسبة فرق التيار الضوئي والداكن التي تزيد عن 3.0×104، استجابة 7.0 أمبير/واط، كفاءة كمية خارجية 3412٪، ومعدل كشف 4.6×1013 جونز. استخدمنا برنامج TCAD لمحاكاة بنية الجهاز، وحصلنا على توزيع المجال الكهربائي وبنية نطاق الطاقة داخل الجهاز، وتم تحليل مبدأ عمله. هذا الكاشف ذو الوصلة غير المتجانسة يتميز بأداء جيد، وعمليّة تصنيعه بسيطة، مما يوفّر طريقة جديدة لتطوير كواشف الأشعة فوق البنفسجية غير الحساسة للضوء النهاري ذات حساسية فائقة على أساس Ga2O3.
关键词
أكسيد الجاليوم; الترسيب الكيميائي بالبخار العضوي المعدني; وصلة غير متجانسة; كاشف تحت فوق بنفسجي غير حساس للضوء النهاري
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website