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高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题
材料合成及性能 | 更新时间:2023-05-10
    • 高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题

      增强出版
    • Localized States of High-strain InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells

    • 发光学报   2023年44卷第4期 页码:627-633
    • DOI:10.37188/CJL.20220375    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2023-04-05

      收稿日期:2022-10-23

      修回日期:2022-11-08

    扫 描 看 全 文

  • 王曲惠,王海珠,王骄等.高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题[J].发光学报,2023,44(04):627-633. DOI: 10.37188/CJL.20220375.

    WANG Quhui,WANG Haizhu,WANG Jiao,et al.Localized States of High-strain InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(04):627-633. DOI: 10.37188/CJL.20220375.

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相关作者

王曲惠
王海珠
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李戈
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相关机构

中国科学院大学
上海空间电源研究所
中国科学院 上海技术物理研究所
集成光电子学国家重点实验室 吉林大学电子科学与工程学院
集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院
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