В связи с проблемой локализованных состояний в многоквантовых ямах InGaAs/GaAs с высоким напряжением была разработана и выращена пятикратная структура In0.3Ga0.7As/GaAs с высоким напряжением с использованием технологии металлорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD). С помощью атомно-силовой микроскопии (AFM) и фотолюминесценции с переменной температурой (PL) было обнаружено беспорядочное состояние материала, вызванное дефектами и колебаниями состава внутри квантовой ямы, что подтвердило наличие и происхождение локализованных состояний внутри многоквантовых ям. Также было выявлено, что в разных точках тестирования влияние локализованных состояний на спектр при низкой температуре различно и проявляется в виде двухпикового распределения и «S»-образного изменения положения пика. Это дополнительно указывает на различный уровень беспорядка в материале, приводящий к разной глубине локализованных состояний. На основе подгонки зависимости температура - запрещённая зона была предложена распределение потенциала для многоквантовых ям с локализованными состояниями и раскрыт механизм рекомбинации носителей локализованных и свободных состояний. Кроме того, с помощью тестирования PL при разных мощностях возбуждения исследованы световые характеристики локализованных состояний разной глубины.

Многоквантовые ямы InGaAs/GaAs; локализованные состояния; высокое напряжение; металлорганический химический осадок из паровой фазы (MOCVD)