In Bezug auf das Problem der lokalen Zustände in hochgespannten InGaAs/GaAs-Mehrfachquantentöpfen wurde ein fünfperiodiges In0.3Ga0.7As/GaAs-hochempfindliches Mehrfachquantentopfmaterial unter Verwendung der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD)-Technik entworfen und gezüchtet. Durch die Atomkraftmikroskopie (AFM) und temperaturabhängige Photolumineszenz (PL)-Messungen wurde eine Materialunordnung durch Defekte und Zusammenschwankungen in der Quantentopfstruktur festgestellt, wodurch das Vorhandensein und der Ursprung lokalisierter Zustände in den Mehrfachquantentöpfen bestätigt wurde. Es wurde außerdem festgestellt, dass an verschiedenen Messstellen die lokalen Zustände bei niedriger Temperatur unterschiedliche Auswirkungen auf das Spektrum haben, die sich in einer Doppelgipfelverteilung und einer „S“-förmigen Verschiebung der Peakposition äußern. Dies zeigt weiter unterschiedliche Grade der Materialunordnung, die zu unterschiedlichen Tiefen der lokalen Zustände führen. Basierend auf der Anpassung der Temperatur-Bandlücken-Beziehung wurde eine potenzielle Verteilung für das Mehrfachquantentopfmaterial mit lokalen Zuständen vorgeschlagen und der Rekombinationsmechanismus zwischen lokalen Ladungsträgern und freien Ladungsträgern aufgezeigt. Zudem wurden mithilfe von variabler PL-Leistung die Leuchteigenschaften lokalisierter Zustände unterschiedlicher Tiefe unter verschiedenen Anregungsleistungsdichten untersucht.

InGaAs/GaAs-Mehrfachquantentöpfe; lokale Zustände; hohe Spannung; metallorganische Gasphasenepitaxie (MOCVD)