مشكلة الحالات الموضعية في آبار الكم متعددة الاجهاد InGaAs/GaAs

WANG Quhui ,  

WANG Haizhu ,  

WANG Jiao ,  

MA Xiaohui ,  

摘要

بالنسبة لمشكلة الحالات الموضعية الموجودة في آبار الكم المتعددة عالية الاجهاد InGaAs/GaAs، تم تصميم ونمو مادة آبار كم متعددة عالية الاجهاد In0.3Ga0.7As/GaAs بخمسة دورات باستخدام تقنية النمو البخاري الكيميائي العضوي المعدني (MOCVD). ومن خلال المجهر القوة الذرية (AFM) واختبار الانبعاث الضوئي عند درجات حرارة مختلفة (PL)، تم اكتشاف عدم انتظام المادة الناتج عن وجود عيوب وتقلبات في التركيب داخل آبار الكم، مما أكد وجود وأصل الحالات الموضعية داخل آبار الكم المتعددة. علاوة على ذلك، أظهرت المواقع المختلفة للاختبار تأثيراً مختلفاً للحالات الموضعية على الطيف عند درجات حرارة منخفضة، تمثل في توزيع ذروتين وتغير "S" في موقع الذروة. وهذا يدل بشكل أكبر على اختلاف درجة عدم الانتظام داخل المادة، مما يؤدي إلى اختلاف عمق الحالات الموضعية. بناءً على ملاءمة العلاقة بين درجة الحرارة والفجوة الطاقية، تم اقتراح توزيع الجهد لمادة آبار الكم المتعددة التي تشمل الحالات الموضعية، وكشف آلية إعادة التركيب بين حاملات الحالات الموضعية والحاملات الحرة. بالإضافة إلى ذلك، تم دراسة خواص الإشعاع للحالات الموضعية ذات الأعماق المختلفة تحت كثافات إثارة مختلفة باستخدام اختبار PL بقوة متغيرة.

关键词

آبار الكم المتعددة InGaAs/GaAs; الحالات الموضعية; الاجهاد العالي; النمو البخاري الكيميائي العضوي المعدني (MOCVD)

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website