En relación con el problema de los estados localizados en pozos cuánticos múltiples (MQW) InGaAs/GaAs de alta tensión, se diseñó y creció un material MQW In0.3Ga0.7As/GaAs de alta tensión con cinco ciclos utilizando la técnica de epitaxia de fase vapor por compuestos metalorgánicos (MOCVD). Mediante microscopía de fuerza atómica (AFM) y fotoluminiscencia (PL) a temperatura variable, se observó un desorden material debido a defectos y fluctuaciones en la composición dentro del pozo cuántico, confirmando la existencia y el origen de los estados localizados dentro del MQW. Además, se encontró que en diferentes puntos de prueba, el impacto de los estados localizados en el espectro a baja temperatura varía, manifestándose en una distribución de doble pico y un cambio en forma de "S" en la posición del pico. Esto indica además diferentes grados de desorden interno en el material, lo que conduce a diferentes profundidades de los estados localizados. Basándose en el ajuste de la relación temperatura-banda prohibida, se propuso una distribución potencial del material MQW que incluye estados localizados, y se reveló el mecanismo de recombinación entre portadores de estados localizados y portadores libres. Además, mediante pruebas PL de potencia variable, se estudiaron las características de emisión de estados localizados de distintas profundidades bajo diferentes densidades de potencia de excitación.

Pozos cuánticos múltiples InGaAs/GaAs; estados localizados; alta tensión; epitaxia de fase vapor por compuestos metalorgánicos (MOCVD)