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基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管
研究快报 | 更新时间：2026-10-30

    • 基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管

      增强出版

    • Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region

    • 发光学报   2026年47卷第10期 页码：1818-1824

    • DOI：10.3724/CJL.20260147    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20260147    

    • 收稿：2026-04-20，

      修回：2026-04-28，

      纸质出版：2026-10-25

    移动端阅览

  • 李暄,刘建平,田爱琴等.基于InGaN/AlGaN/GaN量子阱有源区的520 nm绿光激光二极管[J].发光学报,2026,47(10):1818-1824. DOI： 10.3724/CJL.20260147. CSTR： 32170.14.CJL.20260147.

    LI Xuan,LIU Jianping,TIAN Aiqin,et al.Realization of 520 nm Green Laser Diodes with InGaN/AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Active Region[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(10):1818-1824. DOI： 10.3724/CJL.20260147. CSTR： 32170.14.CJL.20260147.

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