Grüne Laserdioden mit einer Wellenlänge von 520 nm basierend auf InGaN/AlGaN/GaN-Quantenbrunnen-Aktivzonen
摘要
Grüne Laserdioden haben das Problem der "grünen Lücke", das heißt, die Energieumwandlungseffizienz im grünen Lichtbereich ist niedrig. Der Hauptgrund dafür ist die Schwierigkeit, eine hochwertige aktive Zone mit Quantenbrunnen herzustellen. In dieser Arbeit wurde eine neue Struktur der aktiven Zone mit InGaN/AlGaN/GaN-Quantenbrunnen entworfen und gezüchtet. Durch die Schutzwirkung der AlGaN-Abdeckschicht wurde die Oberflächenmorphologie der Mehrfachquantenbrunnen erheblich verbessert, wodurch eine aktive Zone der gelben Mehrfachquantenbrunnen mit einer quadratischen mittleren Rauheit von bis zu 0,5 nm erfolgreich hergestellt wurde. Auf Grundlage dieser aktiven Zone wurde eine grüne InGaN/AlGaN/GaN-Quantenbrunnen-Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge von 520 nm hergestellt, mit einer Schrägeffizienz von 0,36 W/A bei einem Strom von 2 A und einer Ausgangslichtleistung von bis zu 180 mW.
关键词
Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD); GaN; Laserdioden; AlGaN-Abdeckschicht
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