Зелёный лазерный диод с длиной волны 520 нм на основе активной зоны InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
摘要
Зелёные лазерные диоды имеют проблему "зелёного разрыва", то есть низкую эффективность преобразования света в электричество в зелёном диапазоне. Основная причина заключается в сложности создания качественной активной зоны с квантовыми ямами. В этой работе была разработана и выращена новая структура активной зоны InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. Благодаря защитному действию слоя AlGaN поверхность многоквантовых ям была значительно улучшена. Успешно изготовлена активная зона из многоквантовых ям с среднеквадратичной шероховатостью поверхности всего 0,5 нм. На основе этой активной зоны создан зелёный лазерный диод с квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN с длиной волны излучения 520 нм, с наклонной эффективностью 0,36 Вт/А при токе 2 А и выходной мощностью света 180 мВт.
关键词
Металлоорганическая химическая депозиция (MOCVD); GaN; лазерный диод; защитный слой AlGaN
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website