Los diodos láser verdes presentan el problema de la "brecha verde", es decir, una baja eficiencia de conversión fotoeléctrica en el rango de luz verde. La principal razón es la dificultad de fabricar una región activa de pozos cuánticos de alta calidad. Este artículo diseña y crece una nueva estructura de región activa de pozos cuánticos InGaN/AlGaN/GaN. Gracias al efecto protector de la capa de recubrimiento AlGaN, la morfología de superficie de los pozos cuánticos múltiples se mejora significativamente, logrando preparar exitosamente una región activa de pozos cuánticos amarillos con una rugosidad cuadrática media tan baja como 0.5 nm. Basándose en esta región activa, se fabrica un diodo láser verde InGaN/AlGaN/GaN con una longitud de onda de emisión de 520 nm, obteniendo una eficiencia de inclinación de 0.36 W/A a una corriente de 2 A y una potencia de salida de luz de 180 mW.

Deposición química de vapor organometálico (MOCVD); GaN; diodo láser; capa de recubrimiento AlGaN