Les diodes laser vertes rencontrent le problème de "l'écart vert", c'est-à-dire une faible efficacité de conversion optoélectronique dans la gamme lumineuse verte. La principale raison réside dans la difficulté de fabriquer une zone active de puits quantiques de haute qualité. Cet article conçoit et cultive une nouvelle structure de zone active de puits quantiques InGaN/AlGaN/GaN. Grâce à l'effet protecteur de la couche de couverture AlGaN, la morphologie de surface des puits quantiques multiples est nettement améliorée, permettant de préparer avec succès une zone active de puits quantiques jaunes avec une rugosité quadratique moyenne aussi faible que 0,5 nm. Sur la base de cette zone active, un laser diode vert InGaN/AlGaN/GaN avec une longueur d'onde de 520 nm a été fabriqué, obtenant une efficacité de pente de 0,36 W/A à 2 A de courant et une puissance lumineuse de sortie atteignant 180 mW.

Dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD); GaN; diode laser; couche de couverture AlGaN