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Co掺杂MAPbI3中FA的应力释放与费米能级调控及其在高效无传输层光电探测器中的应用
SCI期刊拒稿重生 | 更新时间:2026-06-24
    • Co掺杂MAPbI3中FA的应力释放与费米能级调控及其在高效无传输层光电探测器中的应用

      增强出版
    • FA Doping for Strain Relaxation and Fermi Energy Management in B-site Co-doped MAPbI3 Toward Efficient Transport Layer-free Photodetectors

    • 发光学报   2026年47卷第6期 页码:970-982
    • DOI:10.37188/CJL.20260088    

      中图分类号: TN36
    • CSTR:32170.14.CJL.20260088    
    • 收稿:2026-03-19

      修回:2026-03-20

      纸质出版:2026-06-25

    移动端阅览

  • 陈明明,刘康媛,张慧敏等.Co掺杂MAPbI3中FA的应力释放与费米能级调控及其在高效无传输层光电探测器中的应用[J].发光学报,2026,47(06):970-982. DOI: 10.37188/CJL.20260088. CSTR: 32170.14.CJL.20260088. DOI:

    CHEN Mingming,LIU Kangyuan,ZHANG Huimin,et al.FA Doping for Strain Relaxation and Fermi Energy Management in B-site Co-doped MAPbI3 Toward Efficient Transport Layer-free Photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(06):970-982. DOI: 10.37188/CJL.20260088. CSTR: 32170.14.CJL.20260088. DOI:

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