B Les métaux dopés en position B ont le potentiel de supprimer les défauts ponctuels et les défauts de joints de grains dans le pérovskite à halogénure de plomb, mais la différence de rayon ionique entre les ions dopants et ceux de la matrice provoque une contrainte locale significative, ce qui limite fortement la taille des grains dans les films. Dans cet article, le FA est introduit dans le MAPbI₃ dopé au Co afin de relâcher la contrainte locale et ainsi améliorer la qualité des films MAPbI₃. Les études expérimentales et théoriques montrent que le dopage Co induit une contrainte de traction locale significative, tandis que le dopage FA peut efficacement relâcher cette contrainte. Des études complémentaires indiquent que le dopage FA réduit simultanément les défauts de joints de grains dans les films MAPbI₃ dopés au Co et régule leur niveau de Fermi, ce qui inhibe efficacement la recombinaison non radiative et améliore le transport des porteurs à l’interface MAPbI₃/ITO. Sur la base de ces résultats, un photodétecteur MAPbI₃/ITO efficace sans couche de transport a été fabriqué, avec une responsivité et une efficacité quantique externe (EQE) atteignant respectivement 0,094 A/W et 28 % à polarisation nulle. Cette étude fournit une voie efficace pour obtenir des photodétecteurs pérovskites sans couche de transport performants.

Dopage Co; Dopage Co-FA conjoint; Relaxation de contrainte; Photodétection efficace; MAPbI₃/ITO