B-Stellen-Metalldotierungen haben das Potenzial, Punktdefekte und Korngrenzendefekte in Blei-Halogenid-Perowskiten zu unterdrücken, doch Unterschiede im Ionenradius zwischen Dotierionen und Wirtsionen führen zu erheblichen lokalen Spannungen, die die Korngröße in den Filmen stark einschränken. In dieser Arbeit wird FA in Co-dotiertes MAPbI₃ eingeführt, um lokale Spannungen zu entspannen und so die Qualität der MAPbI₃-Filme zu verbessern. Experimentelle und theoretische Studien zeigen, dass Co-Dotierung signifikante lokale Zugspannungen induziert, während FA-Dotierung diese Spannungen effektiv entspannt. Weitere Studien zeigen, dass FA-Dotierung gleichzeitig Korngrenzendefekte in Co-dotierten MAPbI₃-Filmen reduziert und das Fermilevel steuert, wodurch nichtstrahlende Rekombination effektiv unterdrückt und der Ladungsträgertransport an der MAPbI₃/ITO-Grenzfläche verbessert wird. Basierend auf diesen Ergebnissen wurde ein hocheffizienter, schichttransportfreier MAPbI₃/ITO-Photodetektor hergestellt, der bei Nullvorspannung eine Empfindlichkeit und externe Quanten-effizienz (EQE) von 0,094 A/W bzw. 28 % erreicht. Diese Studie bietet einen effektiven Weg, um hocheffiziente schichttransportfreie Perowskit-Photodetektoren zu erhalten.

Co-Dotierung; Co-FA-Ko-Dotierung; Spannungsrelaxation; Hocheffiziente Photodetektion; MAPbI₃/ITO