Снятие напряжения и регулирование уровня Ферми FA в Co-допированном MAPbI3 и его применение в высокоэффективных фотодетекторах без транспортного слоя

CHEN Mingming ,  

LIU Kangyuan ,  

ZHANG Huimin ,  

LIU Yuan ,  

WU Chunxia ,  

CAO Dawei ,  

摘要

B -позиционные металлы-допанты обладают потенциалом подавления точечных дефектов и дефектов границ зерен в перовските на основе свинцового галогенида, однако разница в ионных радиусах допантов и ионов матрицы вызывает значительные локальные напряжения, что сильно ограничивает размер зерен в пленках. В данной работе вводится FA в Co-допированный MAPbI3 для релаксации локальных напряжений и повышения качества пленок MAPbI3. Экспериментальные и теоретические исследования показывают, что допирование Co вызывает значительное локальное растяжение, а допирование FA эффективно релаксирует это напряжение. Дополнительные исследования показывают, что допирование FA одновременно уменьшает дефекты границ зерен в Co-допированном MAPbI3 и регулирует уровень Ферми, эффективно подавляя безызлучательные рекомбинации и улучшая перенос носителей на интерфейсе MAPbI3/ITO. Основываясь на этих результатах, был разработан высокоэффективный фотодетектор без транспортного слоя на основе MAPbI3/ITO, с чувствительностью и внешней квантовой эффективностью (EQE) до 0,094 A/W и 28% при нулевом смещении. Данное исследование предоставляет эффективный путь для создания высокоэффективных безтранспортных перовскитных фотодетекторов.

关键词

Допирование Co; Совместное допирование Co-FA; Релаксация напряжений; Высокоэффективное фоточувствительное обнаружение; MAPbI3/ITO

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website